[发明专利]动态随机存取存储器的位线预充电压产生器

权利要求书

1.一种DRAM位线预充电压产生器，其包含：

第一放大器，其比较第一电压与预充电压以控制耦接至供应电压源的第一PMOS晶体管；

第二放大器，其比较第二电压与该预充电压以控制耦接至该第一PMOS晶体管的第二PMOS晶体管；

第三放大器，其比较第三电压与该预充电压以控制耦接至该第二PMOS晶体管的第一NMOS晶体管；及

第四放大器，其比较第一电压与该预充电压以控制耦接至该第一NMOS晶体管及接地电压源的第二NMOS晶体管；

其中，该预充电压是获取自连接于该第二PMOS晶体管与该第一NMOS晶体管之间的输出节点。

2.根据权利要求1所述的DRAM位线预充电压产生器，其中该第一放大器、该第二放大器、该第三放大器及该第四放大器的每一者分别具有第一电流源、第二电流源、第三电流源及第四电流源。

3.根据权利要求1所述的DRAM位线预充电压产生器，其中该第三电压及该第二电压分别为该预充电压的上边界及下边界。

4.根据权利要求2所述的DRAM位线预充电压产生器，其中该第二电流源及该第三电流源的电流分别大于该第一电流源及该第四电流源的电流。

5.根据权利要求4所述的DRAM位线预充电压产生器，其中该第一电流源及该第二电流源的电流分别等于该第四电流源及该第三电流源的电流。

6.根据权利要求1所述的DRAM位线预充电压产生器，其中该第一电压介于该第二电压与该第三电压之间。

7.一种DRAM位线预充电压产生器，其包含：

第一放大器，其比较参考电压与第一预充电压以控制耦接至供应电压源的第一PMOS晶体管；

第二放大器，其比较该参考电压与第二预充电压以控制耦接至该第一PMOS晶体管的第二PMOS晶体管；

第三放大器，其比较该参考电压与预充电压以控制耦接至该第二PMOS晶体管的第一NMOS晶体管；

第四放大器，其比较该参考电压与该第一预充电压以控制耦接至该第一NMOS晶体管及接地电压源的第二NMOS晶体管；及

分压器，其根据该供应电压源及该预充电压而产生该第一预充电压及该第二预充电压；

其中，该预充电压是获取自连接于该第二PMOS晶体管与该第一NMOS晶体管之间的输出节点。

8.根据权利要求7所述的DRAM位线预充电压产生器，其中该第一放大器、该第二放大器、该第三放大器及该第四放大器的每一者分别具有第一电流源、第二电流源、第三电流源及第四电流源。

9.根据权利要求7所述的DRAM位线预充电压产生器，其中该参考电压为该预充电压的上边界，且该分压器确定该预充电压的下边界。

10.根据权利要求7所述的DRAM位线预充电压产生器，其中该分压器包含第一电阻、第二电阻及第三电阻，该等电阻是串联连接。

11.根据权利要求10所述的DRAM位线预充电压产生器，其中该第一预充电压是获取自连接于该第一电阻与该第二电阻之间的节点，且该第二预充电压是获取自连接于该第二电阻与该第三电阻之间的节点。

12.根据权利要求10所述的DRAM位线预充电压产生器，其中该预充电压的下边界等于该参考电压减去跨越该第一电阻及该第二电阻的电压差。

13.根据权利要求8所述的DRAM位线预充电压产生器，其中该第二电流源及该第三电流源的电流分别大于该第一电流源及该第四电流源的电流。