[发明专利]自对准堆叠栅极及其制造方法

权利要求书

1.一种自对准堆叠栅极的制造方法，包含下列步骤：

a)提供一衬底；

b)于该衬底上依序形成一第一介电层、一第一导电层以及一屏蔽层；

c)部份蚀刻该屏蔽层、该第一导电层、该第一介电层以及该衬底，以形成一浅沟渠；

d)以一第二介电层填满该浅沟渠以形成一浅沟渠隔离单元，并移除该屏蔽层；

e)全面形成一第二导电层；

f)部份蚀刻该第二导电层以于该第一导电层上形成一侧壁；

g)部份移除该浅沟渠隔离单元以暴露部份的该第二导电层与该第一导电层的侧壁；

h)依序沉积一第三介电层与一第三导电层；以及

i)部份蚀刻该第三导电层，即可得该自对准堆叠栅极。

2.如权利要求1所述的制造方法，其中该衬底为一硅衬底。

3.如权利要求1所述的制造方法，其中该衬底进一步具有一源极/漏极有源区。

4.如权利要求1所述的制造方法，其中该第一介电层为一栅极氧化层。

5.如权利要求1所述的制造方法，其中该第一导电层为一浮动栅极单元多晶硅层。

6.如权利要求1所述的制造方法，其中该屏蔽层为一氮化硅层。

7.如权利要求1所述的制造方法，其中该步骤b)进一步包含步骤：

b1)将该衬底热氧化，以形成该第一介电层；

b2)于该第一介电层上沉积该第一导电层；以及

b3)于该第一导电层上再沉积该屏蔽层。

8.如权利要求1所述的制造方法，其中该步骤c)为一非等向性蚀刻。

9.如权利要求1所述的制造方法，其中该第二介电层为一沉积隔离氧化层。

10.如权利要求1所述的制造方法，其中该步骤d)进一步包含步骤：

d1)全面沉积一第二介电层，以填满该浅沟渠，并覆盖该屏蔽层；

d2)平坦化该第二介电层，直至暴露出该屏蔽层的表面；以及

d3)移除该屏蔽层。

11.如权利要求10所述的制造方法，其中该步骤d2)为一化学机械抛光或一蚀刻工艺。

12.如权利要求1所述的制造方法，其中该第二导电层为一浮动栅极单元侧壁多晶硅层。

13.如权利要求1所述的制造方法，其中该第三介电层为一氧氮氧层。

14.如权利要求1所述的制造方法，其中该第三导电层为一控制栅极多晶硅层。

15.一种自对准堆叠栅极，包含：

一半导体衬底；

一第一介电层，设于该半导体衬底上；

一第一导电栅极，设于该第一介电层区域上；

一侧壁单元，设置于该第一导电栅极上方的两侧，并覆盖于该第一导电栅极上，以形成一浮动栅极单元；

一浅沟渠隔离单元设置于浮动栅极单元的两侧；

一氧化介电层，覆盖于浅沟渠隔离单元与该浮动栅极单元的表面，并与该侧壁单元与部份第一导电栅极的侧壁接触；以及

一控制栅极，形成于该氧化介电层之上，以形成该自对准堆叠栅极。

16.如权利要求15所述的自对准堆叠栅极，其中该半导体衬底为一硅衬底。

17.如权利要求15所述的自对准堆叠栅极，其中该半导体衬底进一步具有一源极/漏极有源区。

18.如权利要求15所述的自对准堆叠栅极，其中该第一介电层为一栅极氧化层。

19.如权利要求15所述的自对准堆叠栅极，其中该第一导电栅极由一多晶硅构成。

20.如权利要求15所述的自对准堆叠栅极，其中该侧壁单元由一多晶硅构成。

21.如权利要求15所述的自对准堆叠栅极，其中该浅沟渠隔离单元由一沉积氧化层构成。

22.如权利要求15所述的自对准堆叠栅极，其中该氧化介电层由一氧氮氧层所构成。

23.如权利要求15所述的自对准堆叠栅极，其中该控制栅极由一多晶硅构成。

24.如权利要求15所述的自对准堆叠栅极，其中该侧壁单元包含于该第一导电栅极的投影面积内。