[发明专利]一种纳米-微米双尺度晶粒复合PZT压电陶瓷的制备方法无效

专利信息
申请号: 200610137609.9 申请日: 2006-11-01
公开(公告)号: CN101172857A 公开(公告)日: 2008-05-07
发明(设计)人: 曹茂盛;林海波;金海波 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: C04B35/491 分类号: C04B35/491;C04B35/622;H01L41/187
代理公司: 北京理工大学专利中心 代理人: 张利萍
地址: 100081北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 微米 尺度 晶粒 复合 pzt 压电 陶瓷 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种纳米-微米双尺度晶粒复合锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷的制备方法,其特征在于:将具有特殊表面效应的纳米PZT晶粒与微米晶粒间形成纳米-微米相互嵌套,得到纳米-微米双尺度晶粒复合PZT压电陶瓷;通过烧结控制晶粒长大的不同速度,提高PZT陶瓷的致密度,改善力学性能。

2.根据权利要求1所述的一种纳米-微米双尺度晶粒复合PZT压电陶瓷的制备方法,其特征在于:所采用的主要原料为纳米PZT预烧陶瓷粉体和微米PZT预烧陶瓷粉体。

3.根据权利要求1所述的一种纳米-微米双尺度晶粒复合PZT压电陶瓷的制备方法,其特征在于它的制备工艺为:

1)在室温下,将纳米PZT粉体、微米PZT粉体(质量比10-40∶60-90)和酒精(占总质量的5-20%)在球磨机内混合,球磨3-10小时;将聚乙烯醇溶液加入到PZT粉体混合,球磨5-24小时;将得到的混合液在100-200℃鼓风干燥箱中边干燥边搅拌5-10小时成固体,再进行研磨过60目筛成粉;

2)将粉料在不锈钢磨具中压制成圆片生坏,生坏置于坩锅在箱式烧结炉中以1-10℃/min的升温速度升温至500-600℃,恒温2-5小时进行排胶;再以2-7℃/min升温至900-1200℃,恒温2-5小时后,随炉冷却,得淡黄色PZT陶瓷圆片;将陶瓷片进行切割加工,涂银浆,上电极,极化老化后,得到复相PZT压电陶瓷。

4.根据权力要求1所述的一种纳米-微米双尺度晶粒复合PZT压电陶瓷的制备方法,其特征在于:也可用含0.1-5wt%金属掺杂的PZT预烧陶瓷粉体作为原料,其它工艺操作不变,制备出含掺杂的双尺度晶粒复合压电陶瓷。

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