[发明专利]反射盖形成方法及其结构以及利用该反射盖的承载装置无效

专利信息
申请号: 200610141067.2 申请日: 2006-09-29
公开(公告)号: CN101154698A 公开(公告)日: 2008-04-02
发明(设计)人: 张正兴;谢荣修;陈国湖;李敏丽 申请(专利权)人: 鋐鑫电光科技股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L21/48;H01L23/498;C04B41/88
代理公司: 北京申翔知识产权代理有限公司 代理人: 周春发
地址: 台湾省桃园*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 反射 形成 方法 及其 结构 以及 利用 承载 装置
【权利要求书】:

1.一种发光二极管的反射盖的形成方法,包含:

一第一生胚结构,其中该第一生胚结构具有一第一开孔图案;

一第二生胚结构,该第二生胚结构具有一第二开孔图案,其第二开孔图案的开孔率小于第一开孔图案的开孔率,并设置于该第一生胚结构上,使第一、二开孔图案呈上下重叠的位置关系;

一金属层于该第二生胚结构上;

以使第二生胚结构得以沿第一生胚结构的开孔图案而塑形并覆盖于第一生胚结构上。

2.如权利要求1所述发光二极管的反射盖的形成方法,其中该第一、二生胚结构可包含陶瓷生胚结构堆积而成。

3.如权利要求1所述发光二极管的反射盖的形成方法,其中可由热塑形方式或压合方式使第二生胚结构沿第一生胚结构的开孔图案而塑形。

4.如权利要求3所述发光二极管的反射盖的形成方法,其中该热塑形方式或压合方式可利用一塑形结构热压于第二生胚结构上,其塑形结构至少包含有一设于第一、二离型膜间的平板层以及设于第二离型膜上的缓冲层,并利用该第一离型膜接触金属层与第二生胚结构。

5.如权利要求4所述发光二极管的反射盖的形成方法,其中该第一离型膜与平板层分别设有第四、五开孔图案,该第四、五开孔图案与第一开孔图案的开孔率相同或相异,所形成反射盖侧壁与孔缘之间的形状亦有所不同。

6.如权利要求5所述发光二极管的反射盖的形成方法,该第二、三开孔图案的开孔率大于第一开孔图案的开孔率,于塑形的过程中则会形成防胶溢流圈的结构。

7.如权利要求1所述发光二极管的反射盖的形成方法,其中该金属层利用涂布方式或厚膜印刷形成一银层设置于第二生胚结构上。

8.如权利要求1所述发光二极管的反射盖的形成方法,其中该第一、二生胚结构中设有一电极连接线路,其电极连接线路一侧并与金属层相连接。

9.如权利要求1所述发光二极管的反射盖的形成方法,其中可于第一生胚结构一侧进一步设置一基座。

10.如权利要求9所述发光二极管的反射盖的形成方法,其中该基座可为一陶瓷底座。

11.如权利要求9所述发光二极管的反射盖的形成方法,其中该基座的表面具有一电极结构,其电极结构并藉由一电极连接线路与金属层相连接。

12.如权利要求8或11所述发光二极管的反射盖的形成方法,其中该电极连接线路包含一内埋线路、一导电孔或上述两者位于该第一、二生胚结构与陶瓷底座中。

13.如权利要求8或11所述发光二极管的反射盖的形成方法,其中该电极连接线路更包含一导电连接垫位于该第一、二生胚结构与陶瓷底座的至少任一的表面。

14.如权利要求9所述发光二极管的反射盖的形成方法,其中该基座设有一第三开孔,其第三开孔与第一开孔呈上下重叠的位置关系,而第三开孔中并设置有一金属混合物。

15.一种发光二极管的反射盖,至少包含:

一底形层为第一陶瓷结构,其中该第一陶瓷结构具有一第一开孔图案;

一形成层为第二陶瓷结构,该第二陶瓷结构具有一第二开孔图案,其第二开孔图案的开孔率小于第一开孔图案的开孔率,其设置于该第一陶瓷结构上,且第一、二开孔图案呈上下重叠的位置关系,使第二开孔图案并沿着第一开孔图案而成形;

一金属层于该第二陶瓷结构上且形成第一开孔图案的底部及侧壁。

16.如权利要求15所述发光二极管的反射盖,其中该第一、二陶瓷结构可包含复数陶瓷层堆积而成。

17.如权利要求15所述发光二极管的反射盖,其中金属层于该第二陶瓷结构上进一步形成第一开孔图案的侧壁。

18.如权利要求15所述发光二极管的反射盖,其中金属层利用涂布或厚膜印刷方式印刷或电镀形成一银层设置于第二陶瓷结构上。

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