[发明专利]反射盖形成方法及其结构以及利用该反射盖的承载装置

说明书

技术领域

本发明有关于发光二极管反射盖形成方法及其结构，以及利用该反射盖的发光二极管承载装置，尤指一种发光二极管的陶瓷反射盖的塑形方法，并可选择发光二极管承载装置的承载角度。

背景技术

由于，发光二极管具备有体积小、低耗电、低热度以及寿命长等特性，如圣诞灯饰、手电筒、车辆信号灯、交通标志等商品，已逐渐利用发光二极管所替代功能相近的传统钨丝灯泡；又，一般发光二极管的基本构造，是在一透明封装体的内部设有不同极性的导电端以及一承载部，其承载部处设有一芯片，另设有金线构成芯片的电极层与导电端的连接，而各导电端并延伸出透明封装体外部成为电源接点。

而发光二极管发光光谱或亮度特性，主要是由构成发光二极管芯片的化合物半导体所决定，发光亮度或视野角度等光的特性则受发光二极管芯片的封装基板影响很大。

而习知的发光二极管封装结构中，可采取反射盖来反射发光二极管芯片所发出的光，一般而言，反射盖的制作方式有钻孔加工的方式、冲压法与压合的方式，但上述各加工方式的成本高、斜面粗糙而不利于光反射的模式、反射盖的孔形受到限制、无法制作积层线路，因此无法降低发光二极管的封装成本且无法增加发光二极管的取光效率。

再者，发光二极管的构装结构与发光二极管的效能有密切的关系，而决定发光二极管的效能的一因素是否能快速地将芯片操作时所产生的热源释放至外界或散热机制上，其中已以具备高热传导系数的金属混合物上直接承载芯片为构装的发展主流之一，一般而言，若采用陶瓷金属构装结构时，必须采用金属陶瓷共烧制程，金属混合物在烧结过程中不收缩，为配合金属，因此必须使用价格相当昂贵的不收缩陶瓷材料。其次，若干设计将电极限制设计于基板上端，所以必须以手焊方式进行组装发光二极管模块，加工性则有待加强。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的是以厚膜印刷方式于生胚结构上形成有金属层，尤其是印刷反射银层，取代习之的镀膜技术并可提升发光二极管的取光效率，且利用热压的压合方式应用于以陶瓷生胚为主的反射盖上，可制作发光二极管光形设计所需反射盖孔形与角度，解决陶瓷反射盖塑形不易的问题。

为达上述目的，本发明的发光二极管成型方式是提供第一、二生胚结构该第一、二生胚结构并分别设有第一、二开孔图案，其第二开孔图案的开孔率小于第一开孔图案的开孔率，并将第二生胚结构设置于第一生胚结构上，使第一、二开孔图案呈上下重叠的位置关系，而第二生胚结构涂布有一金属层，最后再使第二生胚结构得以沿第一生胚结构的开孔图案而塑形并覆盖于第一生胚结构上。

本发明的另一目的，该反射盖及陶瓷底座的电极连接线路相连接作为主要结构，金属混合物以硬焊、高分子接着剂或玻璃封止的方式固定于陶瓷底座上，选用热膨胀系数相近的金属混合物与陶瓷材料结合时可降低热应力。

附图说明

图1为本发明中发光二极管成型方式的流程步骤图；

图2为本发明中的一实施例反射盖材料结构的剖面示意图；

图3为本发明中发光二极管的成型结构剖面示意图；

图4为本发明中塑形结构的剖面示意图；

图5为本发明中堆栈反射盖材料结构与塑形结构的剖面示意图；

图6为本发明中反射盖的剖面示意图；

图7为A、B、C为本发明中反射盖侧壁为一固定斜率的剖面示意图；

图8为A、B、C为本发明中反射盖侧壁为一曲面的剖面示意图；

图9为本发明中堆栈反射盖材料结构与塑形结构的另一剖面示意图；

图10为本发明中承载装置的剖面示意图；

图11为本发明中承载装置的使用状态示意图。

【图号说明】

10  第一生胚结构    10’  第一陶瓷结构

11  第一开孔图案    11’  第一开孔图案

20  第二生胚结构    20’  第二陶瓷结构

21  第二开孔图案    22’  承载凹面

30  金属层          30’  金属层

40  塑形结构        40’  塑形结构

41  第一离型膜      411   第四开孔图案

42  第二离型膜      43    平板层

431 第五开孔图案    44    缓冲层

50  堆栈结构        51    侧壁

52  反射盖面        53    夹角

54  弧角            55    防胶溢流圈