[发明专利]发光器件及其制造方法

权利要求书

1、一种发光器件，该发光器件包括：

第一基板，该第一基板包括接触区和像素区；

信号线，其设置在所述第一基板上，以限定所述接触区和所述像素区，所述信号线包括多条扫描线、多条第一电力线、以及多条第二电力线；

栅绝缘层，其设置在所述信号线上，所述栅绝缘层包括暴露出所述多条第一电力线中的每条第一电力线的一部分的第一通孔、以及暴露出所述多条第二电力线中的每条第二电力线的一部分的第二通孔；

第一接触层，其设置在所述接触区内的所述栅绝缘层上；

半导体层，其设置在所述像素区内的所述栅绝缘层上；

第二接触层，其设置在所述第一接触层上；

源极和漏极，其设置在所述半导体层的一部分上；

第一金属线，其通过所述第一通孔连接在所述第二接触层和所述第一电力线之间；以及

第二金属线，其通过所述第二通孔连接在所述源极和所述第二电力线之间，

其中，所述第一接触层和所述第二接触层的组合高度与所述半导体层和所述源极/所述漏极的组合高度相同。

2、根据权利要求1所述的发光器件，该发光器件还包括：

与所述第一基板相对的第二基板；

设置在所述第二基板上的第一电极；

设置在所述第一电极上的像素限定层，该像素限定层包括暴露出所述第一电极的一部分的接触孔和开口；

设置在与所述接触区相对的所述像素限定层上的第一间隔体；

设置在与所述像素区相对的所述像素限定层上的第二间隔体；

设置在所述开口中的发射层；

设置在所述第一间隔体上的第三金属线；以及

设置在所述第二间隔体和所述发射层上的第二电极。

3、根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述第三金属线连接在设置于所述第二基板上的所述第一电极与所述第一基板的所述第二接触层之间；并且

其中，当所述第一基板与所述第二基板相接合时，所述第二电极与所述第一基板的所述漏极电连接。

4、根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一接触层的高度与所述半导体层的高度相同。

5、根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二接触层的高度与所述源极和所述漏极的高度相同。

6、根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述第一电极是阳极，而所述第二电极是阴极。

7、根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述发射层包括有机材料。

8、根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电力线是正电力线，而所述第二电力线是负电力线。

9、根据权利要求1所述的发光器件，该发光器件还包括设置在所述第二接触层、所述源极和所述漏极上的钝化层，其中，所述钝化层包括暴露出所述第二接触层的一部分的第三通孔和第四通孔、以及分别暴露出所述漏极的一部分和所述源极的一部分的第五通孔和第六通孔。

10、一种发光器件，该发光器件包括：

位于第一基板的接触区内的第一电力线；

位于所述第一基板的像素区内的栅极；

位于所述像素区内的第二电力线，所述第二电力线位于所述第一基板上并与所述栅极间隔开；

设置在所述第一电力线、所述第二电力线和所述栅极上的栅绝缘层；

设置在所述栅绝缘层上的第一接触层，该第一接触层位于所述接触区内；

设置在所述第一接触层上的第二接触层；

位于所述栅绝缘层上的半导体层，该半导体层位于所述像素区内；

位于所述半导体层上的漏极；以及

位于所述半导体层上的源极，该源极与所述漏极间隔开，

其中，所述第一接触层和所述第二接触层的组合高度与所述半导体层和所述漏极的组合高度相同。

11、根据权利要求10所述的发光器件，其中，所述第一接触层的高度与所述半导体层的高度相同。

12、根据权利要求10所述的发光器件，其中，所述源极和所述漏极的高度与所述第二接触层的高度相同。