[发明专利]发光器件及其制造方法

说明书

技术领域

本公开涉及发光器件及其制造方法。

背景技术

可用于各种平板显示器的发光器件使用通过电子-空穴重组而发出的光。与其他平板显示器相比，该发光器件的优点在于，其响应时间相对较短并且其功耗相对较低。另外，因为该发光器件不需要背光单元，所以发光器件和/或使用发光器件的装置的重量可以很轻。

有机发光器件(OLED)包括电子注入电极、空穴注入电极和发射层。发射层可以由形成在电子注入电极和空穴注入电极之间的有机化合物形成。当注入电子被充入发射层时，所注入的电子和所注入的空穴配对在一起。所注入的空穴-电子对的湮灭(extinction)导致电致发光。

通常，在制造OLED时，首先在基板上形成薄膜晶体管(TFT)，然后在薄膜晶体管上形成与这些薄膜晶体管相连的有机发光二极管。然后，使用密封基板对包括TFT和有机发光二极管的基板进行密封。

在某些情况下，尽管可以适当地形成薄膜晶体管，但是如果发光二极管形成有缺陷，则OLED可能有缺陷。换句话说，OLED的合格率取决于发光二极管的合格率。这使得制造OLED的成本和处理时间增加。

图1是现有技术的发光器件的剖视图。在图1中，第一基板100上设置有缓冲层105，该第一基板可以包括接触区A和像素区B。缓冲层105上设置有包括扫描线(未示出)、第一电力线110a、栅极110b和第二电力线110c的信号线。

包括信号线的第一基板上设置有栅绝缘层115。栅绝缘层115包括第一通孔135a和第二通孔135d，该第一通孔135a和第二通孔135d暴露出了第一电力线110a和第二电力线110c的一部分。

像素区B中的栅绝缘层115上设置有半导体层120。该半导体的至少一部分与栅极110b相对应。半导体层120的一部分上设置有漏极125b和源极125c。

接触区A的栅绝缘层115上设置有接触层125a。接触层125a通过第一通孔135a与第一电力线110a相连。接触层125a包含与漏极125b和源极125c相同的材料。

包括接触层125a、漏极125b和源极125c的基板上设置有钝化层130。形成钝化层130以暴露出接触层125a和第二通孔135d。钝化层130中设置有第三通孔135b和第四通孔135c，从而暴露出漏极125b和源极125c的一部分。

第一金属线140设置在源极125c上，并通过第四通孔135c和第二通孔135d将源极125c连接至第二电力线110c。

与第一基板100相对的第二基板150上设置有第一电极155。第一电极155可以是阳极。第一电极155上设置有像素限定层160。像素限定层160包括暴露出第一电极155的接触区A上的第一接触孔165a和像素区B上的开口165b。

像素限定层160的接触区A和像素区B上分别设置有第一间隔体175a和第二间隔体175b。通过第一接触孔165a与第一电极155相连的第一间隔体175a上设置有第二金属线180a，并且第二间隔体175b和发射层170上设置有第二电极180b。该第二电极180b可以是阴极。

使用密封剂190接合第一基板100和第二基板150。第二金属线180a电连接至接触层125a，并且第二电极180b电连接至设置在第一基板100上的漏极125b。

如上所述，在分别制造第一基板100和第二基板150之后将第一基板100与第二基板150相接合而制备出发光器件。因此，设置在第一基板100上的第一电力线和漏极分别利用间隔体175a和175b连接到第一电极和第二电极。

第一基板100的接触区A与像素区B之间存在高度差。如图1中的C所示，这使得不能将第一基板100的接触层125a连接至第二基板150的第二金属线180a。因此，无法将来自第一电力线的驱动电压提供给第一电极。这对图像质量产生了不利影响，并且这使得降低了可靠性并降低了发光器件的合格率。

发明内容

一种发光器件包括第一基板和第二基板。每个基板都可以细分为接触区和像素区。设置在该第一基板的接触区和像素区中的每一个中的导电元件的高度可以基本相同。