[发明专利]制造快闪存储器件的方法

权利要求书

1.一种制造快闪存储器件的方法，所述方法包括步骤：

在半导体衬底上顺序形成蚀刻防止层、第一和第二层间绝缘层以及第一、第二和第三硬掩模层；

蚀刻第三硬掩模层以暴露在第二硬掩模层上的部分区域；

在整个表面上形成线形的光刻胶图案，以使暴露的光刻胶图案比暴露第二硬掩模层的区域更窄，然后利用光刻胶图案作为掩模来蚀刻第二硬掩模层；

利用光刻胶图案作为掩模来蚀刻第一硬掩模层，然后利用保留的第三和第二硬掩模层作为掩模来蚀刻第二和第一层间绝缘层，从而形成方形的漏极接触孔；和

利用保留的第二和第一硬掩模层作为掩模来蚀刻蚀刻防止层，由此使半导体衬底的预定区域暴露和打开漏极接触孔。

2.权利要求1的方法，包括形成厚度为的第二硬掩模层和形成厚度为的第三硬掩模层。

3.权利要求1的方法，其中在使用氮化硅形成第一硬掩模层的情况下，使用氧化硅形成第二硬掩模层和使用多晶硅或氮化硅形成第三硬掩模层。

4.权利要求1的方法，其中在使用可灰化的硬掩模系列形成第一硬掩模层的情况下，使用SiOxNy形成第二硬掩模层和使用多晶硅形成第三硬掩模层。

5.权利要求1中的方法，包括根据漏极选择线之间的间隔以及曝光设备的覆盖裕度选择暴露第三硬掩模层的部分上表面的区域。