[发明专利]半导体结构的形成方法及电阻

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法包括下列步骤：

提供一半导体晶片，其包含多个数字MOS元件的多个有源区和多个模拟MOS元件的多个有源区；

于该有源区中形成多个栅极结构；

利用一N-浅掺杂源/漏极掩模，形成多个N-浅掺杂源/漏极区于该半导体晶片上；

利用一N-袋状注入掩模，形成多个N-袋状注入区于该半导体晶片上，其中N-袋状注入区为p型，以及其中该N-浅掺杂源/漏极掩模与该N-袋状注入掩模为不同掩模；

利用一P-浅掺杂源/漏极掩模，形成多个P-浅掺杂源/漏极区于该半导体晶片上；以及

利用一P-袋状注入掩模，形成多个P-袋状注入区于该半导体晶片上，其中P-袋状注入区为n型，以及其中该P-浅掺杂源/漏极掩模与该P-袋状注入掩模为不同掩模，以使未被该栅极结构遮蔽的该模拟MOS元件的浅掺杂源/漏极区与袋状注入区具有同样导电类型的杂质。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，该N-浅掺杂源/漏极掩模与该N-袋状注入掩模具有不同的图案。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，该P-浅掺杂源/漏极掩模与该P-袋状注入掩模具有不同的图案。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，用于一掩模形成的一光刻胶是择自下列族群，包括：该N-浅掺杂源/漏极掩模、该P-浅掺杂源/漏极掩模、该N-袋状注入掩模与该P-袋状注入掩模，是暴露出全部数字MOS元件的多个有源区和多个选择模拟MOS元件的多个有源区。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，更包括于该栅极结构的多个侧壁上形成多个补偿间隙壁，其中形成该补偿间隙壁的步骤，于形成该N-浅掺杂源/漏极区、该P-浅掺杂源/漏极区步骤之前进行，以及于形成该N-袋状注入区与该P-袋状注入区的步骤之后进行。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，用于一掩模形成的一光刻胶择自下列族群，包括：该N-浅掺杂源/漏极掩模、该P-浅掺杂源/漏极掩模、该N-袋状注入掩模与该P-袋状注入掩模，上述掩模至少包括一图案，其具有一边缘，落在一所述栅极结构上。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，使用该N-袋状注入掩模或该P-袋状注入掩模，不会形成浅掺杂源/漏极区于该半导体晶片上，以及使用该N-浅掺杂源/漏极掩模与该P-浅掺杂源/漏极掩模，不会形成袋状注入区于该半导体晶片上。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，更包括形成一光刻胶，其中该光刻胶的一图案仅位于该N-浅掺杂源/漏极掩模、该P-浅掺杂源/漏极掩模、该N-袋状注入掩模与该P-袋状注入掩模的其中之一。