[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在半导体衬底的预定区域中形成沟槽；

在沟槽内和半导体衬底上提供第一绝缘层，以至少部分填充沟槽，第一绝缘层在沟槽开口处具有悬垂物；

在沟槽内和第一绝缘层上提供第二绝缘层；

完全移除第二绝缘层和第一绝缘层的悬垂物；和

在沟槽内和第一绝缘层上提供第三绝缘层以形成隔离结构。

2.权利要求1的方法，其中在衬底上提供硬掩模并限定沟槽的开口，所述方法还包括：

在移除第二绝缘层和悬垂物之前，抛光第一和第二绝缘层，直至暴露硬掩模。

3.权利要求2的方法，其中移除步骤包括湿蚀刻过程。

4.权利要求3的方法，其中湿蚀刻过程包括低选择性过程，使得在剥离第二绝缘层的同时，部分第一绝缘层保留在沟槽的侧面上。

5.权利要求4的方法，其中第二绝缘层对第一绝缘层的蚀刻选择性不大于8∶1。

6.权利要求5的方法，其中所述蚀刻选择性为至少2∶1。

7.权利要求1的方法，其中第二绝缘层从衬底上移除。

8.权利要求7的方法，其中从沟槽中剥离第二绝缘层。

9.权利要求1的方法，其中第一和第三绝缘层由HDP氧化物层形成。

10.权利要求1的方法，其中第二绝缘层由SOG、BPSG或O₃-TEOS形成。

11.权利要求1的方法，其中第一和第三绝缘层具有相同的类型，第二绝缘层具有不同的类型。

12.权利要求1的方法，其中移除步骤包括干蚀刻过程。

13.权利要求12的方法，其中湿蚀刻过程包括低选择性过程，使得在剥离第二绝缘层的同时，部分第一绝缘层保留在沟槽的侧面上。

14.权利要求13的方法，其中第二绝缘层对第一绝缘层的蚀刻选择性不大于8∶1。

15.权利要求14的方法，其中所述蚀刻选择性为至少2∶1。