[发明专利]半导体器件的制造方法无效

专利信息
申请号: 200610145973.X 申请日: 2006-11-28
公开(公告)号: CN101071787A 公开(公告)日: 2007-11-14
发明(设计)人: 赵挥元;金正根;金奭中 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: H01L21/762 分类号: H01L21/762;H01L21/8247
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 杨生平;杨红梅
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种制造半导体器件的方法,包括以下步骤:

在半导体衬底的预定区域中形成沟槽;

在沟槽内和半导体衬底上提供第一绝缘层,以至少部分填充沟槽,第一绝缘层在沟槽开口处具有悬垂物;

在沟槽内和第一绝缘层上提供第二绝缘层;

完全移除第二绝缘层和第一绝缘层的悬垂物;和

在沟槽内和第一绝缘层上提供第三绝缘层以形成隔离结构。

2.权利要求1的方法,其中在衬底上提供硬掩模并限定沟槽的开口,所述方法还包括:

在移除第二绝缘层和悬垂物之前,抛光第一和第二绝缘层,直至暴露硬掩模。

3.权利要求2的方法,其中移除步骤包括湿蚀刻过程。

4.权利要求3的方法,其中湿蚀刻过程包括低选择性过程,使得在剥离第二绝缘层的同时,部分第一绝缘层保留在沟槽的侧面上。

5.权利要求4的方法,其中第二绝缘层对第一绝缘层的蚀刻选择性不大于8∶1。

6.权利要求5的方法,其中所述蚀刻选择性为至少2∶1。

7.权利要求1的方法,其中第二绝缘层从衬底上移除。

8.权利要求7的方法,其中从沟槽中剥离第二绝缘层。

9.权利要求1的方法,其中第一和第三绝缘层由HDP氧化物层形成。

10.权利要求1的方法,其中第二绝缘层由SOG、BPSG或O3-TEOS形成。

11.权利要求1的方法,其中第一和第三绝缘层具有相同的类型,第二绝缘层具有不同的类型。

12.权利要求1的方法,其中移除步骤包括干蚀刻过程。

13.权利要求12的方法,其中湿蚀刻过程包括低选择性过程,使得在剥离第二绝缘层的同时,部分第一绝缘层保留在沟槽的侧面上。

14.权利要求13的方法,其中第二绝缘层对第一绝缘层的蚀刻选择性不大于8∶1。

15.权利要求14的方法,其中所述蚀刻选择性为至少2∶1。

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