[发明专利]硅片图形缺陷在线检测方法无效
| 申请号： | 200610147327.7 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101201328A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 张可钢;龚新军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/18 | 分类号： | G01N23/18;G01R31/305 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 图形 缺陷 在线 检测 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片图形缺陷在线检测方法，其特征在于，包括：
采用电子束扫描的方法获取芯片上的当层图形；
将所述当层图形与掩膜板或版图的图形进行对比。
2.根据权利要求1所述的硅片图形缺陷在线检测方法，其特征在于，当将所述当层图形与版图的图形进行对比时，若所述当层图形是不同层叠加后图形，则需要选取不同层叠加后的版图图形作为对比图形。
3.根据权利要求1所述的硅片图形缺陷在线检测方法，其特征在于，当将所述当层图形与掩膜板的图形进行对比时，需首先对所述掩膜板图形进行OPC模拟，去除光学邻近效应。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610147327.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：连接器
- 下一篇：一种非晶合金变压器结构
