[发明专利]硅片图形缺陷在线检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种硅片图形缺陷在线检测方法，尤其涉及一种对在硅片的每一个芯片上都会重复出现的缺陷在线检测方法。

背景技术

目前，在半导体制造工艺中对硅片图形的缺陷检测一般都采用硅片相邻芯片进行比较的方法来实现的，但是当图形通过光刻工艺从掩膜板印刷到硅片上时，一些违反设计规则的图形在工艺窗口不足的时候，会产生缺陷，由于这种缺陷会在硅片的每一个芯片上重复出现，致使采用现有的检测方法无法检查出这种缺陷。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种硅片图形缺陷在线检测方法，可对硅片的每一片芯片上重复出现的缺陷进行检测。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种硅片图形缺陷在线检测方法，包括：

采用电子束扫描的方法获取芯片上的当层图形；

将所述当层图形与掩膜板或版图的图形进行对比。

本发明由于采用了上述技术方案，具有这样的有益效果，即通过用电子束扫描的方法获取芯片上的当层图形，然后与版图图形或经过OPC模拟的掩膜板图形进行比较，从而可对硅片的每一片芯片上重复出现的缺陷进行检测，这种方法易于实施，而且优化了光刻工艺条件，根除了缺陷，提高了成品率。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是对一硅片芯片采用电子束扫描的方法获取的当层图形示意图；

图2是图1所示硅片芯片的掩膜板图形示意图；

图3是图2所示掩膜板图形经OPC模拟后的示意图。

具体实施方式

本发明所述方法是通过以下步骤来实现的：

首先，采用电子束扫描的方法获取芯片上的当层图形。采用电子束扫描的方式是因为一般的光学原理的扫描机台，不管是亮场的还是暗场的，都有很强的前层图形干扰，这对于不能分辨当层信号和前层信号的图形来说，根本无法有效的和掩膜板或版图去做比较。

然后，将所取得的当层图形与掩膜板或版图的图形进行对比。如果以版图图形作为对比图形，由于电子束扫描所得的当层图形有可能是不同层叠加后图形，如在硅栅刻蚀后可以同时看到硅栅的图形和有源区的图形，因此这时就需要选取不同层叠加后的版图图形来作为对比图形。如果以掩膜板图形作为对比图形，那么由于光学邻近效应的存在，需首先对所述掩膜板图形进行OPC(光学邻近效应修正)模拟，然后再用模拟后的图形作为对比图形来与扫描后的硅片图形进行比较。

下面以一具体的实施例来说明本发明所述方法的效果。如图1所示，首先将某一硅片芯片采用电子束扫描的方法获取该芯片上的当层图形，具体如图1所示；然后，对该芯片的掩膜板图形(见图2)进行OPC模拟去除光学邻近效应，经OPC模拟后的掩膜板图形如图3所示。将图3与图1进行比较，可很明显地看出图1圆圈内的地方存在着缺陷。