[发明专利]BD控挡片的回收利用方法无效
| 申请号： | 200610147406.8 | 申请日： | 2006-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101206993A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 张水友;高昀成;尚海艇;李建茹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/311;B09B3/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | bd 控挡片 回收 利用 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种BD控挡片的回收利用方法；其特征在于，它包括如下步骤：
第一步，对BD控挡片进行单晶元湿法刻蚀；
第二步，进行干法灰化；
第三步，对BD控挡片再次进行单晶元湿法刻蚀。
2.如权利要求1所述的BD控挡片的回收利用方法，其特征在于，第一步所述的湿法蚀刻是采用含臭氧的去离子水和体积比49％的氢氟酸依次在BD控挡片表面处理5-15秒。
3.如权利要求1所述的BD控挡片的回收利用方法，其特征在于干法蚀刻；第二步所述的干法灰化的工艺参数是：温度是250摄氏度；射频功率是250瓦，氧气的流量是9500sccm，反应腔的压强是650mT，反应的时间是60秒。
4.如权利要求1所述的BD控挡片的回收利用方法，其特征在于，第三步所述的湿法蚀刻是采用含臭氧的去离子水和体积比49％的氢氟酸依次在BD控挡片表面处理10-20秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
