[发明专利]BD控挡片的回收利用方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体工艺，尤其涉及一种BD控挡片的回收利用方法。

背景技术

BD是一种低K值介电材料，其中K为介电系数，其英文全称为Black Diamond(黑金刚)，而BD控挡片是指覆盖有BD材料的晶圆(Wafer)，在晶片行业俗称为“BD控挡片”，BD控挡片是BD层和硅基底的总称，BD层是黑金刚材料。BD控挡片在90纳米及以下晶片制程中大量应用。由于BD控挡片的价格较贵，如果不能回收，则提高生产成本，目前关于BD控挡片的回收利用逐渐成为晶元代工厂成本控制的重要内容。

目前采用化学机械研磨法对BD控挡片回收再利用，但是这一方法的主要问题是容易对硅基底造成划伤，表面缺陷难于控制，这样造成无法再次利用，也就是说利用该方法的回收率较低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种BD控挡片的回收利用方法，它可以提高BD控挡片的回收率。

为了解决以上技术问题，本发明提供了一种BD控挡片的回收利用方法，它包括如下步骤：第一步，对BD控挡片进行单晶元湿法刻蚀；第二步，进行干法灰化；第三步，对BD控挡片再次进行单晶元湿法刻蚀。

因为本发明结合了单晶元湿法刻蚀和干法灰化，这样不但可以去除硅基底面的BD层，而且又能很好得控制硅基底表面的表面缺陷，主要因为单晶元湿法刻蚀和干法灰化相结合，具有高的黑金刚对硅的刻蚀选择比，即容易刻蚀黑金刚而不容易刻蚀单晶硅，所以能很好地控制硅基底表面的表面缺陷。按照回收成功的标准：Wafer表面大于0.12微米的表面颗粒总数小于100颗，大于1微米的表面颗粒总数小于10颗计算，回收成功率可以达到92％。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。

图1是本发明的BD控挡片的回收流程示意图。

具体实施方式

如图1所示，它是本发明的BD控挡片的回收流程示意图。它包括如下步骤：

第一步，对BD控挡片进行单晶元湿法刻蚀；其中，湿法蚀刻是采用含臭氧的去离子水和体积比49％的氢氟酸依次在BD控挡片表面处理5-15秒，并且可以视情况重复进行处理。

第二步，进行干法灰化；其中，干法灰化的工艺参数是，温度是250摄氏度；射频功率是250瓦，氧气的流量是9500sccm，反应腔的压强是650mT，反应的时间是60秒。

第三步，对BD控挡片再次进行单晶元湿法刻蚀；其中，湿法蚀刻是采用含臭氧的去离子水和体积比49％的氢氟酸依次在BD控挡片表面处理10-20秒，并且可以视情况重复进行处理。

在中芯国际公司的90纳米铜制程采用本发明方法，即经过两道单晶元湿法蚀刻和一道干法灰化工艺制程，成功的将5860微米厚的BD控挡片回收利用。回收成功率可以达到92％(回收成功的标准：Wafer表面大于0.12微米的表面颗粒总数小于100颗，大于1微米的表面颗粒总数小于10颗)，回收利用的次数可以达到10次。

这一新技术在工业化量产中得到了实际应用，极大的节约了生产成本。未来可以改善的是尽量减少由于干法灰化机器的波动对回收成功率带来的影响，将回收成功率推向更高的水平。