[发明专利]具有高精度阈值电压的MOS晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 200610147577.0 | 申请日： | 2006-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101207039A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 陈康民 | 申请（专利权）人： | 上海贝岭股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄威;张金海 |
| 地址： | 20023*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 高精度 阈值 电压 mos 晶体管 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有高精度阈值电压的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：
在制作MOS晶体管之前，在该晶体管的基体表面高能量注入与该基体杂质类型相同的杂质；
高温扩散推进所述注入的杂质以在所述基体表面形成加浓层；
在所述形成的加浓层上制造MOS晶体管。
2.如权利要求1所述的具有高精度阈值电压的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：注入所述杂质的剂量为1E12atoms/cm2-5E12atoms/cm2，注入能量为80kev-100kev，扩散推进注入的杂质的温度为1150℃-1200℃，扩散推进时间为4-5小时。
3.如权利要求1或2所述的具有高精度阈值电压的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：注入所述杂质的剂量为1.5E12 atoms/cm2，注入能量为100kev，经1180℃的温度对所述杂质扩散推进5小时。
4.如权利要求1所述的具有高精度阈值电压的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述加浓层的厚度为3微米-5微米。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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