[发明专利]通孔的形成方法

权利要求书

1.一种通孔的形成方法，包括步骤：

提供表面具有第一金属层的衬底；

在所述衬底上沉积介电层，并在所述介电层上形成通孔开口，且所述通孔开口的底部与所述第一金属层相连；

在所述介电层上和所述通孔开口的侧壁及底部沉积具有第一厚度的粘附层；

利用等离子体轰击去除所述通孔开口底部的粘附层；

沉积具有第二厚度的粘附层，且所述第二厚度小于所述第一厚度；

在所述介电层上和通孔开口内形成第二金属层。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述第一厚度在100至300之间。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述第二厚度在30至80之间。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述粘附层由物理气相沉积方法形成。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述第一、第二金属层为铜金属，所述粘附层为Ta/TaN。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：在沉积具有第二厚度的粘附层后，填充金属前，还包括步骤：

利用物理气相沉积方法生长一层晶种层。

7.一种通孔的形成方法，包括步骤：

提供衬底，所述衬底表面具有第一金属层和第二金属层，且所述第一和第二金属层之间由第一介电层相隔离；

在所述衬底上沉积第二介电层，并在所述第二介电层上形成通孔开口，且所述通孔开口的底部与所述第二金属层相连；

在所述第二介电层上和所述通孔开口的侧壁及底部沉积具有第一厚度的粘附层；

利用等离子体轰击去除所述通孔开口底部的粘附层；

沉积具有第二厚度的粘附层，且所述第二厚度小于所述第一厚度；

在所述第二介电层上和通孔开口内形成第三金属层。

8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于：所述第一介电层和第二介电层分别由黑钻石和未掺杂的二氧化硅形成。

9.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于：所述第一厚度在100至300之间。

10.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于：所述第二厚度在10至50之间。

11.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于：所述第一、第二金属层为铜金属，所述粘附层为Ta/TaN。

12.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于：在沉积具有第二厚度的粘附层后，填充金属前，还包括步骤：

利用物理气相沉积方法生长一层晶种层。