[发明专利]浅沟槽隔离成形工艺有效
| 申请号： | 200610147949.X | 申请日： | 2006-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101211816A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 吴佳特;邬瑞彬 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 成形 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种浅沟槽隔离(STI)成形工艺，包括：
有源区衬垫氧化及氮化硅沉积；
介电抗反射膜沉积；
有源区衬垫氧化层、介电抗反射膜以及有源区蚀刻，其中对于有源区的蚀刻为软蚀刻，以在有源区形成坡度；
支撑件氧化、沉积及蚀刻；
STI蚀刻；
沟道内壁隔离层氧化及高密度等离子氧化沉积。
2.如权利要求1所述的STI成形工艺，其特征在于，
在介电抗反射膜沉积后还包括形成保护层的步骤，该保护层在有源区蚀刻时定义需要蚀刻的区域；以及
在支撑件氧化、沉积及蚀刻之前还包括消除保护层的步骤。
3.如权利要求2所述的STI成形工艺，其特征在于，
所述有源区的蚀刻在有源区形成向内凹陷的形状，中心至边缘形成坡度。
4.如权利要求3所述的STI成形工艺，其特征在于，
支撑件氧化采用LPVCD氧化工艺，通过不同的LPVCD氧化厚度，获得不同的支撑件宽度。
5.如权利要求4所述的STI成形工艺，其特征在于，
所述STI成形工艺获得具有均匀圆型顶角的STI。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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