[发明专利]刻蚀导电复合层的方法有效
| 申请号： | 200610148012.4 | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101211782A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 崔红星;陈骏;傅海林;杨渝书 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 导电 复合 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种刻蚀导电复合层的方法，其特征在于，包括下列步骤：
在硅衬底上依次形成氧化硅层、导电复合层及图案化光阻层；
将带有氧化硅层、导电复合层及图案化光阻层的硅衬底放入刻蚀反应室中；
将反应室的刻蚀压力从6～10毫托增大至10～30毫托；
以图案化光阻层为掩膜，刻蚀导电复合层至露出氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的刻蚀导电复合层的方法，其特征在于：刻蚀采用的是BCl3和Cl2混合气体。
3.根据权利要求2所述的刻蚀导电复合层的方法，其特征在于：所述BCl3的流量为40～90sccm，Cl2的流量为120～190sccm。
4.根据权利要求3所述的刻蚀导电复合层的方法，其特征在于：BCl3和Cl2混合气体刻蚀导电复合层的速率为0.8～1.2μm/min。
5.根据权利要求4所述的刻蚀导电复合层的方法，其特征在于：刻蚀导电复合层和氧化硅层的选择比为10～15。
6.根据权利要求4所述的刻蚀导电复合层的方法，其特征在于：刻蚀导电复合层和光阻层的选择比为3～5。
7.根据权利要求6所述的刻蚀导电复合层的方法，其特征在于：所述导电复合层为铝、钛及氮化钛复合材料。
8.根据权利要求7所述的刻蚀导电复合层的方法，其特征在于：所述导电复合层的厚度为2～5μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
