[发明专利]用于化学气相沉积装置的保温器

说明书

技术领域

本发明涉及沉积装置，尤其涉及一种用于化学气相沉积装置的保温器。

背景技术

化学气相沉积(CVD)装置以其可制造薄膜均匀，覆盖性好特点成为半导体器件制造工艺中的常用制膜技术之一。申请号为01141183的中国专利申请给出了采用CVD装置的制膜技术，但是未公开CVD装置的真空腔内部结构。在化学气相沉积装置的真空腔是化学气相沉积装置的最为重要的部分，晶圆放置于真空腔中进行沉积薄膜，在真空腔中还设置有保温器，用于对真空腔进行保温。

参照附图1A给出现有技术的化学气相沉积装置的真空腔的结构示意图，真空腔由包括外部真空腔101及内部真空腔102组成。内部真空腔102下部设置有保温器103和设置于真空腔上部的晶舟104，所述晶舟104中放置有晶圆105。图1B给出保温器103的具体结构，由图1B可知，保温器103包括保温片和连接柱100，所述保温片包括第一保温片1、第二保温片2......以及第n保温片n，所述n为自然数，所述第一保温片1为顶端保温片，所述第一保温片1、第二保温片2......第n保温片n沿垂直于保温片表面方向堆叠排列，相邻保温片之间具有间隔，并且相邻保温片通过连接柱100相连接。

在现有技术中，由于石英的传热系数较小，不容易散热，因此所述保温片、连接柱100均为石英。所述保温器103与放置晶圆105的晶舟104相通，在沉积薄膜比如多晶硅的时候，薄膜在沉积到晶圆105上的同时也沉积至保温器的保温片上，尤其是距离晶舟104距离最近的第一保温片1上，当第一保温片1上薄膜厚度累积至一定厚度比如3微米以上时，由于保温片为石英，石英与薄膜的结合力较差，容易脱落，在对真空腔进行抽气或者放气的时候，由于气流会使得第一保温片1上的薄膜落在晶圆105表面造成污染。因此，需要经常把保温器由真空腔取出，进行清洗，增加了工艺复杂度。

发明内容

本发明解决的问题是现有技术的化学气相沉积装置中的保温器放置于真空腔中，与放置晶圆的晶舟相通，在晶圆上沉积薄膜时候在保温器的保温片上尤其是位于最上端的第一保温片上也沉积有薄膜，当第一保温片上薄膜厚度累积至一定厚度比如3微米以上时容易脱落，在对真空腔进行抽气或者放气的时候，由于气流使得第一保温片上的薄膜落在晶圆表面造成污染。

为解决上述问题，本发明提供一种用于化学气相沉积装置的保温器，所述保温器包括保温片和连接柱，所述保温片包括第一保温片、第二保温片......以及第n保温片，所述n为自然数，所述第一保温片为顶端保温片，所述第一保温片、第二保温片......第n保温片沿垂直于保温片表面方向堆叠排列，相邻保温片之间具有间隔，并且相邻保温片通过连接柱相连接，围绕第一保温片边缘设置有定位突起。

所述围绕第一保温片边缘的定位突起呈连续的环状，所述定位突起沿第一保温片径向宽度范围为1至4mm，所述定位突起的高度为2至10mm。

所述围绕第一保温片边缘的定位突起呈分立的均匀分布的环状，所述分立的定位突起呈四方体形或者山脊形，所述定位突起沿第一保温片径向宽度为1至4mm，所述定位突起的高度为2至10mm。

所述保温片、连接柱及定位突起均为石英。

所述相邻保温片之间的间隔为10至50mm。

本发明还提供一种用于化学气相沉积装置的保温器，所述保温器包括保温片和连接柱，所述保温片包括第一保温片、第二保温片......以及第n保温片，所述n为自然数，所述第一保温片为顶端保温片，所述第一保温片、第二保温片......第n保温片沿垂直于保温片表面方向堆叠排列，相邻保温片之间具有间隔，并且相邻保温片通过连接柱相连接，围绕第一保温片边缘设置有定位突起，所述第一保温片上放置有碳化硅片且通过定位突起定位。

所述围绕第一保温片边缘的定位突起呈连续的环状，所述定位突起沿第一保温片径向宽度为1至4mm，所述定位突起的高度为2至10mm。

所述围绕第一保温片边缘的定位突起呈分立的均匀分布的环状，所述分立的定位突起呈四方体形或者山脊形，所述定位突起沿第一保温片径向厚度为1至4mm，所述定位突起的高度为2至10mm。

所述保温片、连接柱及定位突起均为石英。

所述相邻保温片之间的间隔为10至50mm。

所述碳化硅片厚度与定位突起相同，所述定位突起以及碳化硅片沿第一保温片径向宽度之和与第一保温片直径相同。