[发明专利]等离子体显示器的后板结构无效
申请号: | 200610149591.4 | 申请日: | 2006-11-22 |
公开(公告)号: | CN101192495A | 公开(公告)日: | 2008-06-04 |
发明(设计)人: | 张昭仁 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01J17/04 | 分类号: | H01J17/04;H01J17/16;H01J17/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 郭蔚 |
地址: | 台湾省桃园*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 显示器 板结 | ||
【技术领域】
本发明是关于一种等离子体显示器后板的阻隔壁结构,特别是一种具有突出部的阻隔壁结构。
【背景技术】
近年来,各类型的平面显示技术皆蓬勃发展,例如液晶显示器(Liquid CrystalDisplay,LCD)、场发射显示器(Field Emission Display,FED)、及等离子体显示器(Plasma Display Panel,PDP)等。在平面显示器(Flat Panel Display,FPD)中,PDP具有结构较为简单、容易制作大尺寸萤幕、寿命长、大于160°的超广视角、以及整体外型轻薄不占空间等优点,所以广泛应用于各种大尺寸的显示装置,例如大尺寸的FPD电视。
PDP的基本原理是施加电场于氖(Ne),氦(He),氙(Xe)等惰性气体(inert gas),使其产生放电现象并发出紫外光,彩色荧光物质(phosphor material)受紫外光激发后再发出可见光。
PDP的显示区域是由多个像素(image cell)所组成,新一代的PDP通常是由横向阻隔壁(barrier rib)与纵向阻隔壁互相交错形成晶格状(lattice-like)的放电晶胞(discharge cell),请参考先前技术的图1A至图1C,图1A是部分放电晶胞的上视示意图,图1B是单一放电晶胞的上视示意图,图1C是单一放电晶胞的立体示意图,每一放电晶胞12系为两相邻的纵向阻隔壁14与两相邻的横向阻隔壁16所交错包围的空间。
通常,荧光物质会涂布在放电晶胞的底面及包围每一放电晶胞12的阻隔壁的侧面以增加涂布面积并进而提升PDP的发光效率;荧光物质的涂布是采用与放电晶胞相对应的网板进行对位印刷,图1D是先前技术的填入荧光体墨浆(phosphor paste)于放电晶胞的示意图,多个电极20平行设置于玻璃基板18上,一介电层(DielectricLayer)22设置于玻璃基板18上且覆盖电极20,多个横向阻隔壁16设置于该介电层22上,两相邻的横向阻隔壁16之间的空间为放电晶胞12,一刮刀28把荧光体墨浆(phosphor paste)26透过一格子状网板24的网孔填入放电晶胞12,但在此荧光体墨浆26的印刷过程中容易包入气泡32,因此荧光体墨浆26的溶剂在受热挥发后,荧光物质会产生膜厚不均的现象,如图1E所示,放电晶胞12内的荧光物质34的膜厚不均,甚至放电晶胞12的底面具有空洞36,所以此像素的发光效率不良,甚至会产生面板闪点的问题。
【发明内容】
为了解决先前技术的等离子体显示器在荧光体印刷过程中由气泡造成的放电晶胞底部荧光物质厚度不均的问题,本发明的目的之一是提供一种具有突出部的阻隔壁结构,突出部使荧光体填入时空气可从其两侧排出,荧光物质即可均匀涂布在放电晶胞的底面及包围放电晶胞的阻隔壁的侧面。
为了解决先前技术的等离子体显示器发光效率不良,甚至会产生面板闪点的问题,本发明的目的之一是提供一种具有突出部的阻隔壁结构以消除面板闪点并提升发光效率。
本发明的目的之一是提供一种等离子体显示器后板的具有突出部的阻隔壁结构以增加放电晶胞的荧光物质堆积密度,进而增加放电晶胞的放电空间。
本发明的目的之一是提供一种等离子体显示器后板的具有突出部的阻隔壁结构,而且横向阻隔壁与纵向阻隔壁具有高度差以改善荧光体填入时的抽气效率。
因此,本发明的等离子体显示器后板的具有突出部的阻隔壁结构能改善放电晶胞的荧光物质厚度不均的现象,并可增加荧光物质的堆积密度以增加放电空间,进而解决面板闪点的问题,提升等离子体显示器的工艺合格率与发光效率。
为了达到上述目的,本发明之一实施例提供一种等离子体显示器后板结构,包括:一基板;多个电极平行设置于该基板上;一介电层设置于基板上且覆盖所述电极;多个横向阻隔壁设置于介电层上;多个纵向阻隔壁设置于介电层上;其中,横向阻隔壁与纵向阻隔壁系交错形成晶格状的多个放电晶胞,其中,每一放电晶胞系为两相邻的横向阻隔壁与两相邻的纵向阻隔壁所交错包围的空间且其底面为介电层表面,且两相邻的横向阻隔壁与两相邻的纵向阻隔壁其中的至少任一具有一突出部朝向每一放电晶胞;及一荧光物质涂布于放电晶胞的底面、朝向放电晶胞的横向阻隔壁的侧面、与朝向放电晶胞的纵向阻隔壁的侧面。
【附图说明】
图1A是先前技术的部分放电晶胞的上视示意图。
图1B是先前技术的单一放电晶胞的上视示意图。
图1C是先前技术的单一放电晶胞的立体示意图。
图1D是先前技术的填入荧光体墨浆于放电晶胞的示意图。
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