[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，该半导体结构的形成方法包括：

提供一半导体基底；

形成一介电层于该半导体基底上；

通过化学气相沉积法形成一附着层于该介电层上，其中该附着层包括一起始层与一过渡层形成在该介电层上，该起始层形成于该过渡层下，且该过渡层至少具有一自该过渡层的底部至顶部逐渐改变的特性，该特性是该过渡层的组成；

形成一低介电常数介电层于该附着层上，且该低介电常数介电层与该附着层在相同腔室中形成，其中该起始层、该过渡层、以及该低介电常数介电层都包括掺杂碳的氧化物；以及

形成一镶嵌开口在该低介电常数介电层中。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，该特性包括碳浓度、氧浓度、硅浓度及其组合。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，该附着层及该低介电常数介电层是通过等离子增强化学气相沉积法形成。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成该过渡层之前先形成该起始层，其中，逐渐改变形成该过渡层的工艺条件，使得形成该过渡层的底部的工艺条件与形成该起始层的工艺条件相同，且形成该过渡层的顶部的工艺条件与形成该低介电常数介电层的工艺条件相同。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成该过渡层期间打开等离子。

6.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，该半导体结构的形成方法包括：

提供一半导体基底；

形成一蚀刻停止层于该半导体基底上；

通过化学气相沉积法在一腔室中形成一起始层于该蚀刻停止层上；

逐渐的改变该起始层的工艺条件，以于该腔室中形成一过渡层在该起始层上，其中在形成该过渡层的工艺中，改变该过渡层的工艺条件以符合形成一低介电常数介电材料的工艺条件；

在该腔室中，形成一低介电常数介电层于该过渡层上，其中该起始层、该过渡层、以及该低介电常数介电层都包括掺杂碳的氧化物；以及

形成一镶嵌开口在该低介电常数介电层中。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，该蚀刻停止层在另一腔室中形成。

8.一种半导体结构，其特征在于，该半导体结构包括：

一半导体基底；

一介电层，形成在该半导体基底上；

一附着层，形成在该介电层上，其中该附着层包括一起始层与一过渡层形成在该介电层上，该起始层形成于该过渡层下，并且该过渡层的组成自该过渡层的底部至顶部逐渐的改变；

一低介电常数介电层，形成于该附着层上，其中该起始层、该过渡层、以及该低介电常数介电层都包括掺杂碳的氧化物；以及

一双镶嵌开口，形成于该低介电常数介电层中。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，该过渡层的顶部的组成与该低介电常数介电层的组成相同。

10.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，该过渡层的介电常数大于2.3。

11.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，该低介电常数介电层具有较过渡层高的含碳浓度，该过渡层的含碳浓度自其底部至顶部逐渐增加。