[发明专利]引用半导体薄膜后制造方法以改善高频传输的构装结构

权利要求书

1.一种引用半导体薄膜后制造方法以改善高频传输的构装结构，是用以提高连接芯片的第一焊垫及第二焊垫的导线的传输信号的频率，其特征在于包括；

一芯片，具有电子讯处理功能，并具有多数个第一焊垫及多数个第二焊垫；

多数条导线，每一条该导线的两端分别连接一该第一焊垫及一该第二焊垫；

一绝缘层，与该芯片相结合；该多数条导线被三明治式的夹于该绝缘层与该芯片之间；该绝缘层具有与每一该第二焊垫相对应的第一穿透孔；

一导电层，与该绝缘层相结合；该绝缘层被三明治式的夹于该导电层与该芯片之间；该导电层具有与该芯片的每一第二焊垫相对应的第二穿透孔，俾使每一该第二焊垫透过相对应的该第一穿透孔、该第二穿透孔与外部的导线电气连接；

其中该导电层用以电气连接提供该芯片工作的电力输入端的高电位端或接地端其中的一者，使该多数条导线与该导电层之间形成类似微带传输线的信号传输结构。

2.如权利要求1所述的引用半导体薄膜后制造方法以改善高频传输的构装结构，其特征在于，所述该多数个第一焊垫及该多数个第二焊垫中分别具有至少一相对应的接地焊垫；该导电层具有至少一接地焊垫，该导电层的该接地焊垫与该芯片的该接地焊垫电气连接。

3.如权利要求1或2项所述的引用半导体薄膜后制造方法以改善高频传输的构装结构，其特征在于，所述该多数个第一焊垫设置于该芯片的中间区域；该多数个第二焊垫设置于该芯片的外围区域。

4.如权利要求3所述的引用半导体薄膜后制造方法以改善高频传输的构装结构，其特征在于，所述该多数个第一焊垫呈接近平行的两列；该多数个第二焊垫置亦呈接近平行的两列。

5.如权利要求4所述的引用半导体薄膜后制造方法以改善高频传输的构装结构，其特征在于，所述该多数个第一焊垫与该多数个第二焊垫所形成的列接近平行。

6.如权利要求5所述的引用半导体薄膜后制造方法以改善高频传输的构装结构，其特征在于，所述该绝缘层是选自聚乙醯胺、合成橡胶及硅化合成橡胶其中之一的绝缘材料形成者。

7.如权利要求6所述的引用半导体薄膜后制造方法以改善高频传输的构装结构，其特征在于，所述该导电层是选自铜、金、钛、银、镍、钯、钯镍合金及氮化钛其中之一的导电材料形成。