[发明专利]引用半导体薄膜后制造方法以改善高频传输的构装结构

说明书

技术领域

本发明是有关重分布集成电路的规划的结构，尤其是有关引用半导体薄膜后制造方法以改善高频传输的构装结构。

背景技术

请参阅图1所示。申请人的一已获准的中国台湾专利第I242873号，揭示一种重分布集成电路的规划的封装方式及其结构，是用于将一晶粒11电气接合至一导线架12，该晶粒11具有多数个第一焊垫111，该导线架12具有多数个导线焊垫121，该多数个第一焊垫111与该多数个导线焊垫121间的接合具有一对应的第一规划，包含：

一重分配层，具有多数个第二焊垫112及多数条导线13；

其中，该多数条导线13供选择性地连接该多数个第一焊垫111及该多数个第二焊垫112，使得该多数个第二焊垫112与该多数个导线焊垫121间的接合具有一对应的第二规划，且该第二焊垫112并电气接合至该导线架12的该多数个导线焊垫121。

一般导线在传输高频信号时，会产生一感抗XL，而XL的值由下列公式表示：

XL＝ωL        …(1)，

其中ω是导线传输信号的角频率，而L是电感；L的大小与导线的长度成正比。

图1所示的导线13的长度愈长及传输信号的角频率ω愈大时，将产生愈大的感抗XL。目前导线13的长度不影响信号的传输，但当传输信号的角频率愈来愈大时，将使导线13传输高频信号产生的感抗愈来愈大，而影响传输效率，甚至会因感抗太大而无法传输更高频的信号。

发明内容

为了使重分布集成电路的规划的封装结构，具有高频传输功能，而提出本发明。

本发明的主要目的，在提供一种引用半导体薄膜后制造方法以改善高频传输的构装结构，使重分布的集成电路规划所使用的导线传输信号时，不受导线长度及传输频率的影响，能传输高频的信号。

本发明的另一目的，在提供一种引用半导体薄膜后制造方法以改善高频传输的构装结构，可缩短芯片连接导线架的导线长度，使连接导线架的导线较能传输高频的信号。

本发明引用半导体薄膜后制造方法以改善高频传输的构装结构，是用以提高连接芯片的第一焊垫及第二焊垫的导线的传输信号的频率者，包括：

一芯片，具有电子讯处理功能，并具有多数个第一焊垫及多数个第二焊垫；

多数条导线，每一条该导线的两端分别连接一该第一焊垫及一该第二焊垫；

一绝缘层，与该芯片相结合；该多数条导线被三明治式的夹于该绝缘层与该芯片之间；该绝缘层具有与每一该第二焊垫相对应的第一穿透孔；

一导电层，与该绝缘层相结合；该绝缘层被三明治式的夹于该导电层与该芯片之间；该导电层具有与该芯片的每一第二焊垫相对应的第二穿透孔，俾使每一该第二焊垫透过相对应的该第一穿透孔、该第二穿透孔与外部的导线电气连接；

其中该导电层用以电气连接提供该芯片工作的电力输入端的高电位端或接地端其中的一者，使该多数条导线与该导电层之间形成类似微带传输线的信号传输结构；使导线的特性阻抗与导线的长度及传输信号的角频率无关，用以传输高频信号。

本发明的其它目的、功效，请参阅图式及实施例，详细说明如下。

附图说明

图1为现有重分布集成电路的规划的封装结构的示意图；

图2为本发明实施例芯片、绝缘层及导层呈分开状态的示意图；

图3为本发明实施例的外观示意图。

【主要组件符号说明】

11晶粒                111第一焊垫

112第二焊垫           12导线架

121导线焊垫           13导线

20芯片                21第一焊垫

211、221、51接地焊垫  22第二焊垫

30导线                   40绝缘层

41第一穿透孔             50导电层

52第二穿透孔

具体实施方式

请参阅图2、图3所示。本发明引用半导体薄膜后制造方法以改善高频传输的构装结构，是用以提高连接芯片的第一焊垫及第二焊垫的导线的传输信号的频率者，本发明的结构实施例，包括：

一芯片20，具有电子讯处理功能，并具有多数个第一焊垫21及多数个第二焊垫22；多数个第一焊垫21置于芯片20的中间区域，呈接近平行的两列；多数个第二焊垫22置于芯片2的外围区域，亦呈接近平行的两列；多数个第一焊垫21与多数个第二焊垫22所形成的列接近平行；多数个第一焊垫21及多数个第二焊垫22中分别具有至少一相对应的接地焊垫211、221；