[发明专利]闪存器件及其中闪存单元块的擦除方法无效

专利信息
申请号: 200610156446.9 申请日: 2006-12-31
公开(公告)号: CN101154457A 公开(公告)日: 2008-04-02
发明(设计)人: 丁民中;郑丙官;姜泰圭 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C16/16 分类号: G11C16/16;G11C16/08;G11C16/06
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 杨生平;杨红梅
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 闪存 器件 其中 单元 擦除 方法
【权利要求书】:

1.一种闪存器件,其包括:

具有多个块的存储器单元阵列;

地址寄存器部,其被配置为存储要擦除的多个块中的要擦除的第一块的起始块地址和要擦除的所述多个块中的要擦除的最后块的最后块地址;

控制逻辑电路,其被配置成输出擦除命令信号和擦除块地址;

高电压发生器,其被配置为根据所述擦除命令信号来输出擦除操作所需的擦除电压;

块选择部,其被配置为将所述擦除电压发送到对应于所述擦除块地址的块;

擦除块地址存储部,其被配置为存储从所述控制逻辑电路输出的擦除块地址;

块地址比较部,其被配置为比较所述最后块地址与所述擦除块地址,并基于对所述最后块地址和所述擦除块地址的比较向所述控制逻辑电路输出擦除进展信号,

其中所述控制逻辑电路增加所述擦除块地址,直到所述擦除块地址等于所述最后块地址。

2.如权利要求1所述的闪存器件,其中所述地址寄存器部包括:

配置为存储所述起始块地址的第一地址寄存器;以及

配置为存储所述最后块地址的第二地址寄存器。

3.如权利要求1所述的闪存器件,其中所述控制逻辑电路在执行编程操作时输出编程命令信号,并在执行读操作时输出读命令信号。

4.如权利要求3所述的闪存器件,其中所述高电压发生器根据所述编程命令信号来输出编程操作所需的编程操作电压,并根据所述读命令信号来输出读操作所需的读操作电压。

5.一种闪存器件,其包括:

具有多个块的存储器单元阵列;

地址寄存器部,其被配置为接收要擦除的多个块中的要擦除的第一块的起始块地址和要擦除的所述多个块中的要擦除的最后块的最后块地址;

控制逻辑电路,其被配置为输出擦除命令信号和与要擦除的所述块之一对应的擦除块地址;

块地址比较部,其被配置为比较所述控制逻辑电路输出的擦除块地址与所述最后块地址,并基于对所述擦除块地址和所述最后块地址的比较向所述控制逻辑电路输出擦除进展信号,

其中所述控制逻辑电路输出要擦除的另一块的擦除块地址,直到所述擦除进展信号指示要擦除的所述最后块已经或正在被擦除。

6.如权利要求5所述的闪存器件,其中当所述控制逻辑电路输出的擦除块地址对应于所述最后块地址时,所述擦除进展信号指示要擦除的所述最后块已经被擦除。

7.如权利要求5所述的闪存器件,其还包括:

擦除块地址存储部,其被配置为接收从所述控制逻辑电路输出的擦除块地址,并向所述块地址比较部输出所述擦除块地址。

8.如权利要求5所述的闪存器件,其还包括:

高电压发生器,其被配置为根据所述控制逻辑电路输出的擦除命令信号来输出擦除操作所需的擦除电压;以及

块选择部,其被配置为将所述擦除电压发送到对应于所述擦除块地址的块。

9.如权利要求5所述的闪存器件,其中所述地址寄存器部包括:

配置为存储所述起始块地址的第一地址寄存器;以及

配置为存储所述最后块地址的第二地址寄存器。

10.如权利要求9所述的闪存器件,其中所述地址寄存器部和所述块地址比较部共享所述第二地址寄存器。

11.一种擦除闪存器件中的块的方法,其包括:

存储与要擦除的多个块中的要擦除的第一块的地址对应的起始块地址;

存储与要擦除的多个块中的要擦除的最后块的地址对应的最后块地址;

从所述第一块开始执行擦除操作,直到所述最后块被擦除;

确定最近正在擦除或已被擦除的块是否对应于所述多个块中的要擦除的所述最后块;

根据所述的确定步骤来停止所述擦除操作。

12.如权利要求11所述的方法,其还包括:

在存储所述起始块地址之前,输入用于擦除操作的擦除设置命令。

13.如权利要求11所述的方法,其还包括:

在存储所述最后块地址之前,输入伪确认命令,用于调整所述最后块地址的输入时序。

14.如权利要求11所述的方法,其还包括:

在所述擦除操作之前输入擦除确认命令。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司,未经海力士半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610156446.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top