[发明专利]用于形成半导体器件隔离结构的方法

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件的隔离结构的方法，所述半导体器件包括衬底，在所述衬底处已形成有栅极绝缘层、栅极导电层以及垫层，所述方法包括：

刻蚀所述垫层、所述栅极导电层、所述栅极绝缘层和所述衬底的一部分以形成沟槽；

形成沿着所述沟槽的内表面的氧化物层；

在第一得到的结构上形成第一绝缘层以部分填充所述沟槽，该第一得到的结构包括所述氧化物层；

利用旋涂方法在第二得到的结构上形成第二绝缘层以填充所述沟槽，该第二得到的结构包括所述第一绝缘层；

将所述垫层用作抛光停止层来抛光所述第一和第二绝缘层；

去除所述垫层；

使所述第一和第二绝缘层凹陷；以及

使所述第二绝缘层凹陷到预定深度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二绝缘层包括聚硅氮烷(PSZ)。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一绝缘层包括高密度等离子体(HDP)层。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述第一绝缘层之后在具有高度差的包括所述第一绝缘层的第二得到的结构上形成第三绝缘层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第三绝缘层包括高温氧化物(HTO)层。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：在抛光所述第一和第二绝缘层之后，执行清洁工艺。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述清洁工艺包括执行湿法清洁或干法清洁，所述湿法清洁使用具有在所述第一和第二绝缘层之间的低刻蚀选择性的清洁溶液。

8.根据权利要求1所述的方法，其中使所述第一和第二绝缘层凹陷的步骤包括执行干法刻蚀工艺。

9.根据权利要求1所述的方法，其中使所述第一和第二绝缘层凹陷的步骤包括使第一和第二绝缘层凹陷，以使所述第一和第二绝缘层的顶部表面比所述栅极绝缘层的顶部表面高。

10.根据权利要求1所述的方法，其中使所述第一和第二绝缘层凹陷的步骤包括执行干法刻蚀工艺。

11.根据权利要求1所述的方法，其中使所述第一和第二绝缘层凹陷的步骤包括使所述第一和第二绝缘层凹陷，以使所述第一和第二绝缘层的顶部表面比所述栅极绝缘层的顶部表面高大约100到大约300。

12.根据权利要求1所述的方法，其中使所述第二绝缘层凹陷的步骤包括使所述第二绝缘层凹陷，以使所述第二绝缘层的顶部表面低于所述栅极绝缘层的顶部表面。

13.根据权利要求1所述的方法，其中使所述第二绝缘层凹陷的步骤包括使所述第二绝缘层凹陷从大约200到大约600之间的厚度。

14.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一绝缘层的步骤包括在所述沟槽的侧壁上形成所述第一绝缘层，所述第一绝缘层的厚度在大约70到大约150之间。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述栅极绝缘层包括基于氧化物的材料。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述垫层包括基于氮化物的材料。