[发明专利]有机发光二极管与其制造方法无效
| 申请号： | 200610157454.5 | 申请日： | 2006-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN101197426A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 颜硕廷 | 申请（专利权）人： | 群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 发光二极管 与其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管，其包括一阳极、一设置在该阳极上的有机发光层与一设置在该有机发光层上的阴极，该阳极包括一第一电极与一设置在该第一电极表面的第二电极，其特征在于：该第一电极的材料是金属，该第二电极的材料是该第一电极的金属所对应的金属氮化物。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于：该第一电极的材料为具有高功函数的金属。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于：该第一电极的材料是银、金或铂中的一种或至少两种的组合。
4.一种有机发光二极管制造方法，其特征在于：
提供一绝缘基板；
在该绝缘基板上沉积一金属层，图案化该金属层，形成第一电极；
在该第一电极表面形成一第二电极，该第二电极的材料是第一电极的金属对应的金属氮化物，该第一电极与该第二电极共同构成该有机发光二极管的阳极；
在该第二电极上形成一有机发光层；
在该有机发光层上沉积一阴极层。
5.如权利要求4所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：该有机发光二极管制造方法进一步包括形成该第一电极后对其表面进行氨等离子处理而形成该第二电极的步骤。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：氨等离子处理该第一电极表面过程中，该绝缘基板周围的环境温度大于200℃。
7.一种有机发光二极管制造方法，其特征在于：
提供一绝缘基板；
在该绝缘基板上沉积一金属层；
在该金属层的表面形成该金属层对应的金属氮化物层，一并图案化该金属层与该金属氮化物层，分别形成一第一电极与一第二电极，该第一电极与该第二电极共同构成该有机发光二极管的阳极；
在该第二电极上形成一有机发光层；
在该有机发光层上沉积一阴极层。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：氨气或氮气的射频功率大于100瓦。
9.如权利要求7所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：通入氨气或氮气的流量大于24标准毫升每分钟。
10.如权利要求7所述的有机发光二极管制造方法，其特征在于：该金属层由物理气相沉积法形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
