[发明专利]有机发光二极管与其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及与一种有机发光二极管(Organic Light EmittingDiodes，OLED)与其制造方法，特别是一种上发射型有机发光二极管与其制造方法。

背景技术

有机发光二极管是一种高效光电子转换装置，因为它具有有无视角限制、制造成本低以及高亮度等优点而越来越受到业界关注。

请参考图1，是一种现有技术有机发光二极管的结构示意图。该有机发光二极管10是一种上发射型有机发光二极管，其包括一基板11、自下而上依次层叠设置在该基板11上的一阳极12、一空穴注入层(Hole Injection Layer，HIL)13、一空穴传输层(Hole Transfer Layer，HTL)14、一有机发光层15、一电子传输层(Electron Transfer Layer，ETL)16、一电子注入层(ElectronInjection Layer，EIL)17与一阴极18。该阳极12是一单层结构，其通常采用具有高功函数(High Work Function)与高反射率的金属银制成，以提高该阳极12的空穴注入效率及其对光的反射率，进而提高该有机发光二极管10的发光效率。

但是，利用金属银形成的阳极12易与湿气相接触而被侵蚀或被电化学腐蚀，从而降低该阳极12的功函数与反射率。

为了解决上述问题，业界通常在该阳极12表面形成一氧化铟锡层(Indium Tin Oxide，ITO)。该氧化铟锡层使该阳极12的金属银与外部隔绝从而保护金属银不受外界湿气影响，而且因为氧化铟锡具有高功函数，所以采用该氧化铟锡层的阳极12仍具有高功函数。

但是，当电压施加在该有机发光二极管10时，因为该氧化铟锡层的阻抗较高，导致该有机发光二极管10的电导率较低。此外，该阳极12在形成过程中，需等金属银沉积完后再沉积氧化铟锡层，其间必须切换沉积材料，因而其制造方法比较复杂。

发明内容

为了解决现有技术有机发光二极管的阳极阻抗较高，制造方法复杂的问题，有必要提供一种阳极阻抗低的有机发光二极管。

为了解决现有技术有机发光二极管制造方法较复杂的问题，有必要提供一种较简单的有机发光二极管制造方法。

一种有机发光二极管，其包括一阳极、一设置在该阳极上的有机发光层与一设置在该有机发光层上的阴极。该阳极包括一第一电极与一设置在该第一电极表面的第二电极。该第一电极的材料是金属，该第二电极的材料是该第一电极的金属所对应的氮化物。

一种有机发光二极管制造方法，其包括以下步骤：提供一绝缘基板；在该绝缘基板上沉积一金属层，图案化该金属层形成一第一电极；在该第一电极表面形成一第二电极，该第二电极的材料是第一电极的金属对应的金属氮化物，该第一电极与该第二电极共同构成该有机发光二极管的阳极；在该第二电极上形成一有机发光层；在该有机发光层上沉积一阴极层。

一种有机发光二极管制造方法，其包括以下步骤：提供一绝缘基板；在该绝缘基板上沉积一金属层；在该金属层的表面形成该金属层对应的金属氮化物层，一并图案化该金属层与该金属氮化物层，分别形成一第一电极与一第二电极，该第一电极与该第二电极共同构成该有机发光二极管的阳极；在该第二电极上形成一有机发光层；在该有机发光层上沉积一阴极层。

与现有技术相比，该有机发光二极管的阳极中，该第二电极所包含的金属氮化物阻抗较低，因而其电效率较高。该有机发光二极管的制造方法中，形成该第二电极不用切换材料，仅需在该第一电极表面形成金属氮化物即可形成第二电极，因而其制造方法简单。

附图说明

图1是一种现有技术有机发光二极管的结构示意图。

图2是本发明有机发光二极管一种较佳实施方式的结构示意图。

具体实施方式

请参考图2，是本发明有机发光二极管一较佳实施方式的结构示意图。该有机发光二极管20是一上发射型有机发光二极管，其包括一具有多个薄膜晶体管(图未示)的绝缘基板21、自下而上依次层叠设置在该绝缘基板21上的一阳极22、一空穴注入层23、一空穴传输层24、一有机发光层25、一电子传输层26、一电子注入层27与一阴极28。