[发明专利]减小薄膜晶体管漏电流的方法

权利要求书

1.一种减小薄膜晶体管漏电流的方法，其特征在于：其步骤包括：提供一薄膜晶体管基板，其包括多个薄膜晶体管，分别与该多个薄膜晶体管的栅极连接的多条扫描线及分别与该多个薄膜晶体管的源极连接的多条数据线；施加一电压信号至该多条扫描线使该多个薄膜晶体管开启，同时，施加一直流电压信号至该多条数据线；施加一电压信号至该多条扫描线使该多个薄膜晶体管关闭，同时，持续施加该直流电压信号至该多条数据线用以消除该薄膜晶体管内部的缺陷。

2.如权利要求1所述的减小薄膜晶体管漏电流的方法，其特征在于：持续施加该直流电压信号至该多条数据线用以消除该薄膜晶体管内部缺陷的时间是3600秒。

3.如权利要求1所述的减小薄膜晶体管漏电流的方法，其特征在于：其步骤进一步包括：提供一第一电源供应器，使其与该多条扫描线电连接；提供一第二电源供应器，使其与该多条数据线电连接。

4.如权利要求3所述的减小薄膜晶体管漏电流的方法，其特征在于：该薄膜晶体管为P型，该第一电源供应器经由该多条扫描线施加至该多个薄膜晶体管的栅极以使其开启的电压是一负直流电压，该第一电源供应器经由该多条扫描线施加至该多个薄膜晶体管的栅极以使其关闭的电压是20V或0V，该第二电源供应器经由该多条数据线施加至该多个薄膜晶体管源极的电压是10V。

5.如权利要求3所述的减小薄膜晶体管漏电流的方法，其特征在于：该薄膜晶体管为N型，该第一电源供应器经由该多条扫描线施加至该多个薄膜晶体管的栅极以使其开启的电压是一正直流电压，该第一电源供应器经由该多条扫描线施加至该多个薄膜晶体管的栅极以使其关闭的电压是负20V或0V，该第二电源供应器经由该多条数据线施加至该多个薄膜晶体管的源极的电压是负10V。

6.一种减小薄膜晶体管漏电流的方法，其特征在于：其步骤包括：提供一薄膜晶体管基板，其包括多个薄膜晶体管，分别与该多个薄膜晶体管的栅极连接的多条扫描线及分别与该多个薄膜晶体管的源极连接的多条数据线；持续施加一直流电压至该扫描线使该多个薄膜晶体管关闭用以消除该薄膜晶体管内部的缺陷。

7.如权利要求6所述的减小薄膜晶体管漏电流的方法，其特征在于：持续施加一直流电压至该扫描线使该多个薄膜晶体管关闭用以消除该薄膜晶体管内部的缺陷的时间是3600秒。

8.如权利要求6所述的减小薄膜晶体管漏电流的方法，其特征在于：其步骤进一步包括：提供一电源供应器，使其与该多条扫描线电连接。

9.如权利要求8所述的减小薄膜晶体管漏电流的方法，其特征在于：该薄膜晶体管为P型，该电源供应器经由该多条扫描线施加至该多个薄膜晶体管的栅极的电压是20V。

10.如权利要求8所述的减小薄膜晶体管漏电流的方法，其特征在于：该薄膜晶体管为N型，该电源供应器经由该多条扫描线施加至该多个薄膜晶体管的栅极的电压是负20V。