[发明专利]减小薄膜晶体管漏电流的方法

说明书

技术领域

本发明是关于一种减小薄膜晶体管漏电流的方法。

背景技术

薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)液晶显示装置因具有低辐射性、体积轻薄短小及耗电低等特点，且随着相关技术的成熟及创新，种类日益繁多，被广泛应用于各种领域。液晶显示装置的主要元件是液晶面板。

请一并参阅图1及图2，其分别是一种现有技术液晶面板的制造方法流程图及采用该制造方法制成的液晶面板局部剖面示意图。该制造方法包括如下步骤：S11，形成彩色滤光片基板10及薄膜晶体管基板100；S12，在该薄膜晶体管基板100外围涂覆框胶20；S13，散布间隙子30；S14，灌注液晶40；S15，压合该彩色滤光片基板10及该薄膜晶体管基板100；S16，切割液晶面板1。

请一并参阅图3，其是图2所示薄膜晶体管基板100的局部剖面放大示意图。该薄膜晶体管基板100包括一基底110及设置于该基底110一表面的一薄膜晶体管150。该薄膜晶体管150是P型低温多晶硅晶体管，其包括层叠设置的一多晶硅薄膜151、一绝缘层152及一栅极金属层153，且该栅极金属层153部份覆盖该绝缘层152。该绝缘层152是该薄膜晶体管150的栅极绝缘层。该多晶硅薄膜151两端通过掺杂受主杂质分别形成一源极154及一漏极155。另外，该栅极金属层153、源极154及漏极155分别通过导线(未标示)与外部引脚(未标示)电性连接。

该液晶面板1工作时，外加电压通过各导线施加于该薄膜晶体管150的栅极金属层153及源极154。该栅极金属层153的栅极电压能透过绝缘层152，在多晶硅薄膜151表面感应出一通道156，并通过该源极154及漏极155间的电位差，使通道156内产生电流。

然而，在形成该薄膜晶体管基板100的过程中，该薄膜晶体管150内部的晶粒界面处及该通道156与该源极154及该漏极155的界面处均易产生较多如断键、原子排列杂乱、空隙等缺陷。该薄膜晶体管150处于关闭状态时，该通道156与该漏极155和源极154的界面处的缺陷易协助该漏极155处的载流子通过缺陷辅助穿隧作用(Trap-Assisted Tunneling)流入该源极154而导致该源极154与漏极155间产生漏电流。该漏电流影响该薄膜晶体管150的工作特性，降低该薄膜晶体管基板100的可靠性，进而影响该液晶面板1的显示品质。

发明内容

为了解决现有技术薄膜电晶体漏电流较大的问题，有必要提供一种减小薄膜晶体管漏电流的方法。

一种减小薄膜晶体管漏电流的方法，其步骤包括：提供一薄膜晶体管基板，其包括多个薄膜晶体管，分别与该多个薄膜晶体管的栅极连接的多条扫描线及分别与该多个薄膜晶体管的源极连接的多条数据线；输出一电压信号至该多条扫描线使该多个薄膜晶体管开启，同时，施加一直流电压信号至该多条数据线；输出一电压信号至该多条扫描线使该多个薄膜晶体管关闭，同时，持续施加该直流电压信号至该多条数据线用以消除该薄膜晶体管内部的缺陷。

一种减小薄膜晶体管漏电流的方法，其步骤包括：提供一薄膜晶体管基板，其包括多个薄膜晶体管，分别与该多个薄膜晶体管的栅极连接的多条扫描线及分别与该多个薄膜晶体管的源极连接的多条数据线；持续施加一直流电压至该扫描线使该多个薄膜晶体管关闭用以消除该薄膜晶体管内部的缺陷。

与现有技术相比较，本发明采用静态偏压操作方法，使该多个薄膜晶体管在关闭状态维持一时间段，且在此时间段内其源极与漏极等电位；或者仅施加一使该多个薄膜晶体管关闭的直流电压至其栅极，并维持一时间段，该漏极与源极之间无电流通过，在该静态偏压作用下，该薄膜晶体管内部的缺陷迁移或复合从而使缺陷数目减小，进而使得该薄膜晶体管的漏电流较小。

附图说明

图1是一种现有技术液晶面板的制造方法流程图。

图2是采用现有技术制造方法制成的液晶面板局部剖面示意图。

图3是图2所示薄膜晶体管基板的局部剖面放大示意图。

图4是本发明减小薄膜晶体管漏电流方法第一实施方式的流程图。

图5是本发明步骤S21提供的薄膜晶体管基板结构示意图。

图6是本发明步骤S22提供的第一电源供应器及第二电源供应器的结构示意图。

图7是本发明步骤S23该薄膜晶体管基板与该第一电源供应器及该第二电源供应器连接关是图。

图8是本发明减小薄膜晶体管漏电流方法第二实施方式的流程图。

具体实施方式