[发明专利]电子元件耐压测试设备及方法有效

专利信息
申请号: 200610157994.3 申请日: 2006-12-27
公开(公告)号: CN101210950A 公开(公告)日: 2008-07-02
发明(设计)人: 翁世芳;庄宗仁;李俊 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: G01R31/12 分类号: G01R31/12;G01R31/14;G01R31/26
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电子元件 耐压 测试 设备 方法
【权利要求书】:

1.一种电子元件耐压测试设备,包括:波形发生单元,用于产生振荡信号;功率放大单元,用于将所述振荡信号功率放大,以得到功率放大信号;变压单元,用于改变所述功率放大信号电压,以得到变压信号;其特征在于:所述电子元件耐压测试设备进一步包括:信号调节单元与检测模块,所述信号调节单元用于隔离所述变压信号中的反向电压信号以得到测试信号,所述检测模块用于根据所述测试信号检测待测元件,以得到检测数据。

2.如权利要求1所述的电子元件耐压测试设备,其特征在于:所述波形发生单元包括时基电路及与所述时基电路相连的电阻和电容,通过改变所述电阻和电容的值可以调整所述振荡信号的频率及其占空比。

3.如权利要求1所述的电子元件耐压测试设备,其特征在于:所述功率放大单元包括金属氧化物半导体场效应管,所述金属氧化物半导体场效应管与所述波形发生单元相连以接收并放大所述振荡信号。

4.如权利要求1所述的电子元件耐压测试设备,其特征在于:所述信号调节单元包括调节二极管,所述调节二极管用于隔离所述变压信号中的反向电压信号及低电压信号。

5.如权利要求1所述的电子元件耐压测试设备,其特征在于:所述电子元件耐压测试设备进一步包括控制模块,所述控制模块用于根据所述检测数据判断所述待测元件是否合格。

6.如权利要求5所述的电子元件耐压测试设备,其特征在于:所述控制模块包括处理单元与存储单元,所述处理单元用于存储预定值与所述检测数据,所述处理单元用于比较所述预定值与所述检测数据以判断所述待测元件是否合格。

7.如权利要求5所述的电子元件耐压测试设备,其特征在于:所述电子元件耐压测试设备进一步包括显示模块,所述显示模块用于显示所述检测数据及所述控制模块的判断结果。

8.如权利要求5所述的电子元件耐压测试设备,其特征在于:所述电子元件耐压测试设备进一步包括夹持装置,所述夹持装置与所述控制模块相连,所述夹持装置用于在所述控制模块的控制下取放所述待测元件。

9.一种电子元件耐压测试方法,包括如下步骤:产生振荡信号;放大所述振荡信号功率,以获得功率放大信号;改变上述功率放大信号电压,以获得变压信号;隔离所述变压信号中的反向电压信号以得到测试信号;根据所述测试信号检测待测元件,得到检测数据。

10.如权利要求9所述的电子元件耐压测试方法,其特征在于:进一步包括根据所述检测数据判定及显示所述待测元件是否合格的步骤。

11.如权利要求9所述的电子元件耐压测试方法,其特征在于:进一步包括如下步骤:发送夹取信号给夹持装置,以控制所述夹持装置夹取所述待测元件。

12.如权利要求9所述的电子元件耐压测试方法,其特征在于:所述振荡信号的频率及其占空比可调。

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