[发明专利]一种低硅铝比β沸石的合成方法有效
| 申请号： | 200610165308.7 | 申请日： | 2006-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101205072A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 贾晓梅;慕旭宏;王永睿;舒兴田 | 申请（专利权）人： | 中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院 |
| 主分类号： | C01B39/04 | 分类号： | C01B39/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 徐舒;庞立志 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低硅铝 合成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低硅铝比β沸石的合成方法，其特征在于该方法是将常规方法得到的沸石和铝源、四乙基铵阳离子源、水混合形成的反应混合物，在135～170℃水热条件下晶化0.5～2天，其中，所说的反应混合物中摩尔配比为SiO2/Al2O3＝4～15，TEAOH/SiO2＝0～0.10，H2O/SiO2＝5.0～8.0。
2.按照权利要求1的方法，其特征在于所说的常规方法得到的β沸石的硅铝摩尔比为SiO2/Al2O3＝25～30。
3.按照权利要求1的方法，其特征在于所说的铝源选自水合氧化铝、氢氧化铝、水合氯化铝、拟薄水铝石和硅酸铝中的一种或几种。
4.按照权利要求1的方法，其特征在于所说的四乙基铵阳离子源选自四乙基氢氧化铵、四乙基氯化铵、四乙基溴化铵和四乙基碘化铵中的一种或几种。
5.按照权利要求4的方法，其特征在于所说的四乙基铵阳离子源为四乙基氢氧化铵或四乙基溴化铵。
6.按照权利要求1的方法，其特征在于该方法所合成的β沸石具有微孔和介孔的混合结构，其孔径分布范围为10-50nm。
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