[发明专利]一种阳极氧化零件表面的清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种物体的清洗方法，尤其涉及微电子工艺过程中等离子腔体中的阳极氧化零件表面的清洗方法。

背景技术

随着半导体芯片技术的发展，技术节点已从250nm发展到65nm，甚至45nm以下，硅片的大小也从200mm增加到300mm，在这样的情况下，每片硅片的成本变得越来越高。对加工硅片的工艺要求越来越严格。半导体的加工需要经过多道工序，包括沉积、光刻、刻蚀、侧墙等，刻蚀工艺是其中较为复杂的一个，等离子体刻蚀过程中等离子体的状态、各项工艺过程参数等与刻蚀结果直接相关。

在半导体多晶硅干法刻蚀工艺过程中，随着反应地进行，会产生很多成分复杂副产物。虽然在每次工艺后进行干法清洗，即采用六氟化硫SF6或氧气O₂等气体的等离子气体在一定的真空度和射频功率下对腔室中的副产物或污染物进行清除，大部分这类副产物可与含SF6等离子体反应而被分子泵和干泵排出反应室，但还有小部分的副产物附着在反应室内壁上。副产物在反应室的工艺环境中，会发生一系列的分裂聚合反应，重新组合为成分结构复杂的聚合物，此时的副产物已经很难用干法清洗的方法去除了，这种附着于内壁上成分结构复杂的聚合物膜会随着工艺的继续进行而不断累积，而且这层薄膜稳定性不强，随时会从内壁上脱落下来污染到硅片，所以需要对反应室内部裸露于工艺环境的腔室进行定期清洗。

通常的清洗手段是采用有机溶剂如乙醇、异丙醇等，NH₄OH或KOH碱性溶液，HCl、HNO₃等酸性溶液在一定程度上可有效去除其表面的有机和金属污染物，但对于含F的污染物如AlF3、Al-Si-F-等，此类污染物反应活性低，普通清洗剂效果不佳

发明内容

本发明的目的是提供一种阳极氧化零件表面的清洗方法，可以实现对阳极氧化零件表面的进行湿法清洗，对零件表面损伤小，且完全满足使用要求。刻蚀机进行正常工艺如多晶刻蚀时，在多晶刻蚀工艺后，为腔室中的副产物提供快速、简便、有效的去除方法，恢复腔室正常的工艺条件，从而满足生产要求。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

1、一种阳极氧化零件表面的清洗方法，包括以下步骤：

A、用有机溶剂清洗零件表面；

B、用碱性溶液清洗零件表面；

C、用酸性溶液清洗零件表面；

D、用氟化酮或氟化酮与有机溶剂的混合溶液清洗零件表面；

E、用超声波清洗零件。

所述的步骤A前还包括：

用超纯水清洗零件表面；具体用超纯水喷淋零件表面不少于设定的喷淋时间，用洁净的高压气体吹干零件的表面。

所述的步骤A包括：

A1、用有机溶剂擦拭零件，直至无带色的杂质脱落；和/或，

A2、用有机溶剂喷淋零件设定的喷淋时间，并可重复多次，且每次的喷淋时间与所用有机溶剂的可相同或不同；和/或，

A3、用有机溶剂浸泡零件设定的浸泡时间，并可重复多次，且每次的浸泡时间与所用有机溶剂的可相同或不同；

和/或，

A4、在擦拭、喷淋和/或浸泡零件清洗后还包括用超纯水冲洗零件表面，并用洁净的高压气体吹干零件的表面。

所述的有机溶剂为：

含量为100％的异丙醇；或者，

含量为100％的乙醇；或者，

含量为100％的丙酮；

所述的异丙醇、乙醇与丙酮不低于SEMI标准的一级标准。

所述的步骤B包括：

B1、用碱性溶液浸泡零件不少于设定的清洗时间；

B2、用洁净的擦拭物擦拭零件再用超纯水冲洗零件表面，并用洁净的高压气体吹干零件的表面。

所述的碱性溶液包括：氢氧化铵NH₄OH、双氧水H₂O₂与水H₂O，其各组份的质量含量比为：

NH₄OH∶H₂O₂∶H₂O，比例为1∶1∶1～20。

所述的步骤C包括：

C1、用酸性溶液擦拭零件，不超过设定的擦拭时间；

C2、用超纯水冲洗零件表面，并用洁净的高压气体吹干零件的表面。

8、根据权利要求7所述的阳极氧化零件表面的清洗方法，其特征在于：