[发明专利]垂直磁记录介质和磁存储设备

权利要求书

1、一种垂直磁记录介质，该垂直磁记录介质包括：

基板；

设置在所述基板的表面上的软磁衬层；

设置在所述软磁衬层上的取向控制底层；以及

设置在所述取向控制底层的上方并具有与所述基板的所述表面近似相垂直的易磁化轴的记录层，

其中所述记录层由具有密排六方晶体结构的铁磁性材料制成，所述取向控制底层由具有面心立方晶体结构并以NiCu作为主要成分的非磁性材料制成，并且形成所述取向控制底层的所述非磁性材料添加有从由Fe、Al、Rh、Pd、Ag、Pt以及Au组成的组中选择的至少一种元素，其中将添加的元素的含量设定在0.5at.％到20at.％的范围内。

2、根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中所述取向控制底层具有优先沿与所述基板的所述表面近似平行的方向生长的(111)晶面。

3、根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中所述取向控制底层由具有在40at.％到99at.％的范围内的Cu含量的NiCu制成。

4、根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中所述取向控制底层具有在1纳米到20纳米的范围内的厚度。

5、根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，该垂直磁记录介质还包括：

设置在所述取向控制底层与所述记录层之间的由具有密排六方晶体结构的非磁性材料制成的取向控制中间层。

6、根据权利要求5所述的垂直磁记录介质，其中所述取向控制中间层由从Ru、RuCo、RuCoCr、RuCoB、RuCoCrTa以及Ti组成的组中选择的材料制成。

7、根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，该垂直磁记录介质还包括：

非晶层，其被设置在所述软磁衬层与所述取向控制底层之间，并由以从由Ta、W以及Mo组成的组中选择的元素为主要成分的非磁性材料制成。

8、根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中所述记录层的所述铁磁性材料是从由CoCr、CoPt、CoCrTa、CoCrPt以及CoCrPt-M组成的组中选择的，其中M是从由B、Mo、Nb、Ta、W以及Cu组成的组中选择的至少一种元素。

9、根据权利要求8所述的垂直磁记录介质，其中所述记录层的所述铁磁性材料还包括氧。

10、根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中：

所述记录层包括多个铁磁性层；并且

所述多个铁磁性层中的一个铁磁性层通过由所述铁磁性材料制成的磁颗粒和包围所述磁颗粒的由非磁性材料制成的非固体溶液层构成。

11、根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中：

所述记录层包括多个铁磁性层；并且

所述多个铁磁性层中的最靠近于所述基板的铁磁性层通过由所述铁磁性材料制成的磁颗粒和包围所述磁颗粒的由非磁性材料制成的非固体溶液层构成。

12、根据权利要求10所述的垂直磁记录介质，其中所述非固体溶液层是由如下化合物制成的：该化合物由从由Si、Al、Ta、Zr、Y、Ti以及Mg组成的组中选择的一种元素和从由O、N以及C组成的组中选择的至少一种元素构成。

13、根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中使用由铁磁性元素与非磁性元素的多个交替叠置的薄膜构成的铁磁性人工晶格层来形成所述记录层。

14、根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中：

所述记录层包括设置在所述取向控制底层的上方的第一记录层和设置在所述第一记录层上的第二记录层；

所述第一记录层通过由所述铁磁性材料制成的磁颗粒和包围所述磁颗粒的由非磁性材料制成的非固体溶液层构成；并且

所述第二记录层通过由所述铁磁性材料制成的连续层构成。

15、根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中：

所述记录层包括设置在所述取向控制底层的上方的第一记录层和设置在所述第一记录层上的第二记录层；以及

所述第一记录层的各向异性场Hk1与所述第二记录层的各向异性场Hk2满足关系Hk1＞Hk2。