[发明专利]移位寄存器以及使用其的驱动电路与显示装置有效
申请号: | 200610168517.7 | 申请日: | 2006-12-13 |
公开(公告)号: | CN101202114A | 公开(公告)日: | 2008-06-18 |
发明(设计)人: | 许峻源;林展瑞;魏湘云;郭哲成;黄俊尧 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
主分类号: | G11C19/28 | 分类号: | G11C19/28;G09G3/36;G02F1/13 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 台湾省台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 移位寄存器 以及 使用 驱动 电路 显示装置 | ||
1.一种移位寄存器,包括:
一第一整流元件,其第一端耦接一第一输入节点;
一第二整流元件,其第一端耦接一第二输入节点;
一第一晶体管,其第一源/漏极耦接一共同电位,其栅极耦接该第二整流元件的第二端,其第二源/漏极耦接该第一整流元件的第二端;
一第二晶体管,其第一源/漏极耦接该共同电位,其栅极耦接该第一整流元件的第二端,其第二源/漏极耦接该第二整流元件的第二端;
一第三晶体管,其第一源/漏极耦接该共同电位,其栅极耦接该第二整流元件的第二端,其第二源/漏极耦接一第一输出节点;以及
一第四晶体管,其第一源/漏极耦接该第一输出节点,其栅极耦接该第一整流元件的第二端,其第二源/漏极耦接一第三输入节点。
2.如权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,还包括:
一第五晶体管,其第一源/漏极耦接该共同电位,其栅极耦接该第二整流元件的第二端,其第二源/漏极耦接一第二输出节点;以及
一第六晶体管,其第一源/漏极耦接该第二输出节点,其栅极耦接该第一整流元件的第二端,其第二源/漏极耦接该第三输入节点。
3.如权利要求2所述的移位寄存器,其特征在于,还包括:
一反相器,其输入端耦接该第二输出节点,其输出端耦接一第三输出节点。
4.如权利要求3所述的移位寄存器,其特征在于,该反相器包括:
一第七晶体管,其第一源/漏极耦接该共同电位,其栅极耦接该第二输出节点,其第二源/漏极耦接该第三输出节点;以及
一第三整流元件,其第一端耦接该第二输入节点,其第二端耦接该第三输出节点。
5.如权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,还包括:
一反相器,其输入端耦接该第一输出节点,其输出端耦接一第三输出节点。
6.如权利要求5所述的移位寄存器,其特征在于,该反相器包括:
一第七晶体管,其第一源/漏极耦接该共同电位,其栅极耦接该第一输出节点,其第二源/漏极耦接该第三输出节点;以及
一第三整流元件,其第一端耦接该第二输入节点,其第二端耦接该第三输出节点。
7.如权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,还包括:
一第八晶体管,其第一源/漏极耦接该共同电位,其栅极耦接该第一输入节点,其第二源/漏极耦接一第四输出节点;以及
一第四整流元件,其第一端耦接该第二输入节点,其第二端耦接该第四输出节点。
8.如权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,该共同电位为一电源电位,且该第一~第四晶体管为P型。
9.如权利要求8所述的移位寄存器,其特征在于,该第一整流元件为一P型晶体管,其栅极与第一源/漏极耦接该第一整流元件的第一端,其第二源/漏极耦接该第一整流元件的第二端。
10.如权利要求8所述的移位寄存器,其特征在于,该第二整流元件为一P型晶体管,其栅极与第一源/漏极耦接该第二整流元件的第一端,其第二源/漏极耦接该第二整流元件的第二端。
11.如权利要求1所述的移位寄存器,其特征在于,该共同电位为一接地电位,且该第一~第四晶体管为N型。
12.如权利要求11所述的移位寄存器,其特征在于,该第一整流元件为一N型晶体管,其栅极与第一源/漏极耦接该第一整流元件的第一端,其第二源/漏极耦接该第一整流元件的第二端。
13.如权利要求11所述的移位寄存器,其特征在于,该第二整流元件为一N型晶体管,其栅极与第一源/漏极耦接该第二整流元件的第一端,其第二源/漏极耦接该第二整流元件的第二端。
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