[发明专利]显示设备有效
| 申请号： | 200610170073.0 | 申请日： | 2006-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101170123A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 林旷修;李征焕 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L23/26;H01L51/50;H01L51/52;H05B33/12;H05B33/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟强;夏凯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示 设备 | ||
1.一种显示设备，包括：
基片；
设置在所述基片上的像素部分；
盖，所述盖包括第一区域，该第一区域被接合到基片上；和第二区域，所述第二区域的位置与第一区域的位置不同，所述第二区域与第一区域相连，并与像素部分相对应；
设置在盖的第二区域上的吸收剂层；以及
设置在所述吸收剂层上的保护层。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述保护层由绝缘材料制成。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述绝缘材料是环氧基材料或聚酰亚胺基材料。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述环氧基材料是作为功能性单体的TMPTA(三羟甲基丙烷三丙烯酸酯)和环氧(expoxy)芳基化物、1，4-BDGEDA(丁二醇二环氧甘油醚二丙烯酸脂)、聚丁二烯、聚丁二烯丙稀酸盐、或PEGDA(乙氧基乙氧基丙烯酸乙酯)的混合物。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述保护层的长度比所述吸收剂层的长度短。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述保护层的宽度比所述吸收剂层的宽度短。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述保护层的边缘被设置在吸收剂层区域内。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述吸收剂层和所述保护层的宽度比介于10∶1和2∶1之间。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述吸收剂层和所述保护层的厚度比介于10∶1和7∶1之间。
10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，一部分所述保护层的厚度与保护层的其余部分的厚度不同。
11.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述保护层的厚度在从与第二区域的中心区域相对应的区域到保护层边缘的方向上增加。
12.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述保护层的厚度在从保护层的中心区域到保护层边缘的方向上增加。
13.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二区域是平面区域。
14.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二区域包括具有不同位置的多个平面区域。
15.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述保护层在所述保护层的表面上具有至少一个孔。
16.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述保护层是连续层。
17.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述像素部分包括有机发光层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
