[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括

一半导体衬底；

一叠置栅极，位于该半导体衬底上；以及

一应力源，邻近于该叠置栅极，且至少一部分设于该半导体衬底中，其中该应力源包含一元素，该元素具有一不同于该半导衬底的晶格常数，且其中该应力源包括：

一较低部分，其中该元素占一第一原子比例，以及

一较高部分，其中该元素占一第二原子比例，且该第二原子比例实质上大于该第一原子比例。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中该第一原子比例介于约10％至25％之间，且其中该第二原子比例介于约25％至50％之间。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中该第二原子比例与该第一原子比例的差距大于约5％。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中该较高部分延伸至该半导体器件的沟道区底部下方。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中该较低部分和该较高部分的结实质上在各源/漏极结的空乏区外。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中该较低部分的厚度小于该应力源的1/3。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中该元素包括锗，且该半导体器件包括一PMOS器件。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中该元素包括碳，且该半导体器件包括一NMOS器件。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中该较低部分中，该元素的浓度由靠近该半导体器件的部分朝靠近该应力源的较高部分增加。

10.一种形成半导体器件的方法，包括

提供一半导体衬底；

在该半导体衬底上形成一叠置栅极；

在该叠置栅极的侧壁上形成一栅极间隔壁；

在邻近该栅极间隔壁的半导衬底中形成一凹槽；以及

形成一应力源，且至少有一部分于该凹槽中，其中该应力源包含一晶格常数不同于该半导体衬底的元素，且其中所述形成应力源的步骤包括：

在该凹槽中形成一较低部分，其中该元素占一第一原子比例，以及

在该较低部分上形成一较高部分，其中该元素占一第二原子比例，且该第二原子比例实质上大于该第一原子比例。

11.如权利要求10所述的形成半导体器件的方法，其中所述形成应力源的步骤包括外延生长。

12.如权利要求10所述的形成半导体器件的方法，其中所述形成较高部分的步骤包括逐渐地改变前驱物的流量，且该前驱物包含该元素。

13.如权利要求10所述的形成半导体器件的方法，其中该第一原子比例介于约10％至25％之间，且其中该第二原子比例介于约25％至50％之间。

14.如权利要求10所述的形成半导体器件的方法，其中该元素包括锗，且其中该方法还包括掺杂一p型杂质至一半导体器件的源/漏极区。

15.如权利要求10所述的形成半导体器件的方法，其中该元素包括碳，且其中该方法还包括掺杂一n型杂质至一半导体器件的源/漏极区。