[发明专利]电源电压供电电路无效
| 申请号： | 200610201404.2 | 申请日： | 2006-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101212147A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 黄种棋;袁广东;潘建纯;张卫民 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H02J9/06 | 分类号： | H02J9/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电源 电压 供电 电路 | ||
1.一种电源电压供电电路，其包括一信号输入端、一PMOS晶体管、一第一NMOS晶体管、一主电源、一备用电源、一驱动电路及一隔离电路，所述信号输入端与所述PMOS晶体管的栅极连接，所述隔离电路连接在所述信号输入端与所述第一NMOS晶体管的栅极之间，所述驱动电路与所述隔离电路并联连接，所述PMOS晶体管的源极与所述备用电源连接，所述第一NMOS晶体管的源极与所述主电源连接，所述PMOS晶体管及所述第一NMOS晶体管的漏极作为电压输出端，所述信号输入端输入的控制信号为高电平时，所述隔离电路导通使所述控制信号传送至所述第一NMOS晶体管的栅极，所述电压输出端输出所述主电源电压，所述信号输入端输入的控制信号为低电平时，所述隔离电路阻隔所述控制信号传送至所述第一NMOS晶体管的栅极，所述驱动电路接收所述控制信号后将所述第一NMOS晶体管的栅极拉低为低电平，所述电压输出端输出所述备用电源电压。
2.如权利要求1所述的电源电压供电电路，其特征在于：所述驱动电路包括一NPN型晶体管及一第二NMOS晶体管，所述NPN型晶体管的发射极接地，所述第二NMOS晶体管的栅极与所述NPN型晶体管的集电极连接，所述NPN型晶体管的基极受所述控制信号的控制，所述第二NMOS晶体管的源极接地，所述第二NMOS晶体管的漏极与所述第一NMOS晶体管的栅极连接，所述控制信号为低电平时，所述NPN型晶体管截止，所述NPN型晶体管的集电极被拉升为高电平。
3.如权利要求2所述的电源电压供电电路，其特征在于：所述隔离电路包括一二极管及一电阻，所述二极管的阳极接入所述控制信号，所述二极管的阴极通过所述电阻与所述第一NMOS晶体管的栅极连接。
4.如权利要求2所述的电源电压供电电路，其特征在于：所述NPN型晶体管的集电极通过一上拉电阻与所述电压输出端连接。
5.如权利要求2所述的电源电压供电电路，其特征在于：所述驱动电路还包括一第二电阻、一第三电阻及一第四电阻，所述第二电阻的一端作为所述驱动电路的输入端接入所述控制信号，所述第二电阻的另一端通过所述第三电阻与所述NPN型晶体管的基极连接，所述第二电阻及所述第三电阻的节点通过所述第四电阻接地。
6.如权利要求5所述的电源电压供电电路，其特征在于：所述驱动电路还包括一电容，所述电容与所述第四电阻并联连接。
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