[实用新型]一种高出光率的LED封装结构无效
申请号: | 200620015489.0 | 申请日: | 2006-10-27 |
公开(公告)号: | CN201004466Y | 公开(公告)日: | 2008-01-09 |
发明(设计)人: | 胡建华;龚伟斌 | 申请(专利权)人: | 深圳市瑞丰光电子有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L23/31 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518109广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高出光率 led 封装 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及LED,特别是涉及一种具有高出光率的LED封装结构。
背景技术
LED从二十世纪六十年代研制出来并逐步走向市场化,其封装技术也在不断改进和发展,由最早用玻璃管封装发展至支架式环氧封装和表面贴装式封装,使得小功率LED获得广泛的应用。目前单芯片1W、3W、5W甚至更高功率LED已产业化并推向市场,这使得超高亮度LED的应用面不断扩大,由特种照明的市场领域,逐步向普通照明市场迈进,但是LED要在照明领域发展,关键要将其发光效率、光通量提高到现有照明光源的水平。除了目前在芯片上所做的提高取光效率、降低热阻等各种努力来提高器件的光电转换效率,从而获得较高的光通量外,器件的封装技术也是举足轻重的。影响LED被广泛应用于照明领域的解决方法主要有提高整体封装的出光效率,降低整体热阻来提高产品的可靠性等。
目前LED的封装的主要结构有直插、贴片、表面灌注、侧发光、模组等;以及在后续应用中所需要添加二次光学设计、防水要求等,都面临着出光效率的问题,因为LED芯片被封装在环氧树脂(或硅胶等其他材料等)中,这些材料的折射率在1.3-1.6之间,空气的折射率约为1,芯片发出的光线从高折射率的材料入射到低折射率的空气(或其他二次光学设计,然后入射到空气)中,都将会有全反射的现象发生。如图3所示,其包括一LED芯片1a和一LED封装体,将LED简化为点光源,当光线从折射率大的环氧树脂介质22a中射到封装体的表面21a再射入折射率小的空气介质中时,将有一部分光被全反射,其全反射角为θ,当超过全反射角θ的出射光线将会被反射到产品内部,或经过多次反射后再射出,或被吸收,这样形成一部分光的损耗,从而影响到产品的出光效率,因此整体的产品出光效率较低,不利于普通照明的使用。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于克服现有LED封装结构出光率低的问题,提供一种出光率高的LED封装结构。
为解决上述技术问题,本实用新型的技术方案是:一种LED的封装结构,其包括-LED封装体及一设置于LED封装体内的LED芯片,所述的封装体表面形成有至少一凹陷部或至少一凸出部。
更具体地,所述凹陷部及凸出呈锥状或棱柱状。
更具体地,所述的凹陷部的顶部及凸出部的底部是由至少三条边围成的多边形或圆形。
更具体地,所述的凹陷部或凸出部与封装体一体形成。
更具体地,所述的凹陷部或凸出部是通过刻蚀或激光处理在封装体的表面。
与现有技术相比较,本实用新型具有以下有益效果:本实用新型提供一种在LED封装体的表面设置凹陷部或凸出部使封体表面粗化,当光线通过封装体内部的环氧树脂介质到达封装体表面时,凹陷部或凸出部给正常超过全反射角的光线提供直接出射的机会,这样可以降低光线在封装体内的环氧树脂介质中的反射的次数,也减少了被吸收的可能,因而可以提高产品的整体出光效率,在正常的SMD LED的模具上进行处理后,其出光会比正常封装高15%左右。
附图说明
图1为本实用新型LED封装结构第一实施例的结构示意图;
图2是本实用新型LED封装结构第一实施例中芯片光线射出示意图;
图3为本实用新型LED封装结构第二实施例的结构示意图;
图4是本实用新型LED封装结构第二实施例中芯片光线射出示意图;
图5为现有技术中LED封装结构中芯片光线射出示意图。
具体实施方式
如图1所示,本实用新型涉及一种高出光率的LED封装结构,其包括一封装体2及一设置于LED封装体2内的LED芯片1,所述的封装体2表面21形成有若干凸出部3,每一凸出部3呈锥状,在本实施例中,每一凸出部3的底部是由至少三条边围成的多边形。
如图2所示,将LED简化为点光源,当光线从折射率大的环氧树脂介质22中射到LED封装体2的表面21再射入折射率小的空气介质中时,将有一部分光被全反射,其全反射角为θ,但是,当一部分光射入到封装体2的表面21设置的凸出部3时,入射角为θ1,反射角θ1小于正常全反射角θ,光线就会直接折射到空气介质中,这样可以降低光线在封装体内的环氧树脂介质22中反射的次数,也减少了被吸收的可能,因而可以提高产品的整体出光效率,在正常的表面贴装元件(SMD)LED的模具上进行处理后,其出光率会比正常封装高15%左右。
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