[实用新型]去胶机无效

专利信息
申请号: 200620049450.0 申请日: 2006-12-25
公开(公告)号: CN201004156Y 公开(公告)日: 2008-01-09
发明(设计)人: 林忠宝 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G03F7/42 分类号: G03F7/42;G03F7/26;H01L21/027
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 逯长明
地址: 201203*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 去胶机
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种去胶机,尤其是去胶机上的加热部件,属于半导体技术领域。

背景技术

光刻胶是用于将图像转移到基材上的光敏薄膜。在半导体制作工艺中,采用光刻胶喷涂设备使光刻胶涂层形成在基材上,然后该光刻胶层暴露在穿过光掩膜的活化辐射源中。该光掩膜具有阻挡活化辐射的区域和透过活化辐射的区域,将光刻胶暴露于活化辐射源提供了光刻胶涂层的光诱导化学变化,从而将光掩膜的图案转移至涂有光刻胶的半导体基板上。暴露后,显影该光刻胶以提供一种允许选择性处理基材的立体图像。

形成光刻胶图案并进行至少一个部半导体制作工艺后,一般需要将光刻胶层除去,除去光刻胶层的工艺方法有很多种,例如申请号为03109544的中国专利申请文件描述的光刻胶剥离除去方法,是从激光源传出短脉冲激光,将传送出来的短脉冲激光调整到涂敷或层压在基板上的光刻胶的长度或更长,并照射到光刻胶上,同时调整激光的宽度,使此时照射在光刻胶上的激光强度相应于光刻胶的膜厚而足以在光刻胶和基板的界面上产生热冲击剥离现象并把光刻胶剥离,对光刻胶照射该调整过的激光一定时间,同时,将基板相对地移动而从基板上剥离除去光刻胶。但是上述方法成本较高,并且工艺复杂,半导体工艺中还没有广泛采用。

在半导体器件的制作过程中,最常见的去除光刻胶的工艺方法是采用灰化的方法去除光刻胶层,一般情况下,使用去胶机(stripper)完成光刻胶的灰化工艺。大多数的去胶机都带有加热部件(heater block)以及起模顶杆(liftpin),所述加热部件固定在去胶机的反应室(chamber)内,具有加热板以及贯穿加热板的孔,孔的直径大于起模顶杆的直径,能够使起模顶杆从孔中自由升降,具体结构如附图1和附图2所示,其中附图2为附图1在a-a方向的局部放大剖面结构示意图,正常情况下,起模顶杆3从孔2中穿过(每一个孔2中都会有一个起模顶杆3),而且起模顶杆3不会与加热板1的侧壁接触。工作时,起模顶杆3位于高于孔2的表面,将表面具有光刻胶层的晶圆放置在起模顶杆3的表面,然后,向下移动起模顶杆3,使晶圆移动至加热板1的表面,去除晶圆表面的光刻胶层后,向上移动起模顶杆3,带动晶圆离开加热板1的表面。

在工作过程中,如附图3所示,由于加热板1的表面温度较高,大约在250摄氏度左右,起模顶杆3在孔2中上下移动的工艺过程中,容易因高温使起模顶杆3弯曲或者位置移动而与加热板1侧壁摩擦,使得起模顶杆3产生碎屑4,由于加热板1的温度比较高,碎屑4黏着在加热板1表面,还可能黏着在加热板1的侧壁。如图4所示,由于加热板1表面存在起模顶杆3的碎屑4,无法使晶圆5水平放置在加热板1上,从而导致在去除光刻胶层的过程中晶圆5的温度达不到设定的温度,而且晶圆的不同部分温度分布不均匀,影响去除光刻胶层的均匀性以及晶圆不同位置光刻胶层的去除速率,从而导致晶圆表面存在光刻胶层的残留,严重影响产品性能。

实用新型内容

本实用新型解决的问题是现有的去胶机加热部件的结构容易使起模顶杆的碎屑黏着在加热板表面,导致去除光刻胶层工艺之后晶圆表面存在光刻胶残留的缺陷。

为解决上述问题,本实用新型提供了一种去胶机,具有加热部件和起模顶杆,所述加热部件具有加热板以及至少一个贯穿加热板的孔,起模顶杆在孔中贯穿移动,所述孔在加热板工作面一侧的孔径大于在加热板非工作面的孔径。

其中,由于加热板工作面一侧具有倒角,使孔在加热板工作面一侧的孔径大于在加热板非工作面的孔径。更进一步,孔在加热板的工作面的倒角为25°至65°。

其中,孔在加热板工作面一侧的孔径为起模顶杆直径的2~5倍,较好的为3~4倍。

进一步,所述孔的横截面为圆形或者多边形例如四边形、五边形等,最为优选的孔的横截面为圆形。

所述加热板为金属铝或者金属铁或者陶瓷。

与现有技术相比,本实用新型具有以下优点:

1、本实用新型提供一种去胶机,具有加热部件和起模顶杆,所述加热部件具有加热板以及至少一个贯穿加热板的孔,起模顶杆在孔中贯穿移动,由于所述孔在加热板工作面一侧的孔径大于在加热板非工作面的孔径,使起模顶杆与加热部件摩擦产生的碎屑不会黏附在加热部件的表面,从而使晶圆通过起模顶杆移动至加热板的工作面时,晶圆不会与倒角处的碎屑接触,从而避免了现有技术中无法使晶圆水平放置在加热板上的缺陷,从而避免在去除光刻胶层的过程中在晶圆表面存在光刻胶层的残留。

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