[实用新型]集成式功率型发光二极管封装结构无效
| 申请号： | 200620074154.6 | 申请日： | 2006-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN200969350Y | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 周鸣放 | 申请（专利权）人： | 常州东村电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;F21S4/00 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 | 代理人： | 周祥生 |
| 地址： | 213235江苏省金坛市薛*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 功率 发光二极管 封装 结构 | ||
1、一种集成式功率型发光二极管封装结构，其特征在于：包括发光二极管单元(1)、主体PCB板(2)和金属导电层(3)，在主体PCB板(2)开设有若干个安装孔(21)，其形状与凹型反射腔体(14)的外形相对应，金属导电层(3)设置在主体PCB板(2)的上表面上，且规则地分布在各安装孔(21)旁，发光二极管单元(1)由透镜体(11)、金属引线(12)、芯片(13)、凹型反射腔体(14)组成，芯片(13)粘接在凹型反射腔体(14)的中心部位，芯片(13)通过金属引线(12)分别与金属导电层(3)相连接，透镜体(11)安装凹型反射腔体(14)上，且罩盖金属引线(12)、芯片(13)，凹型反射腔体(14)压装在安装孔(21)中，两者间紧密配合，且底面处于同一平面上。
2、根据权利要求书1所述集成式功率型发光二极管封装结构，其特征在于：所述凹型反射腔体(14)的材质为导热系数高的金属材料，在凹型反射腔体(14)的内腔表面设有反射镀层。
3、根据权利要求书1所述集成式功率型发光二极管封装结构，其特征在于：所述的凹型反射腔体(14)的外形为圆形或多边形。
4、根据权利要求书1所述集成式功率型发光二极管封装结构，其特征在于：所述主体PCB板(2)为单面或双面覆铜电路板。
5、根据权利要求书1所述集成式功率型发光二极管封装结构，其特征在于：所述透镜体(11)为接近半球形，其材料为压克力PMMA。
6、根据权利要求书1所述集成式功率型发光二极管封装结构，其特征在于：所述主体PCB板(2)为双面覆铜电路板。
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