[实用新型]真空腔的改进结构无效
| 申请号： | 200620119833.0 | 申请日： | 2006-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN200983358Y | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 刘相贤 | 申请（专利权）人： | 联萌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/3065;H01L21/20;H01L21/00;C23F4/00;C23C14/50;C23C16/458 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜;陈肖梅 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 空腔 改进 结构 | ||
1.一种真空腔的改进结构，其中包括：
一制程室；
一承载装置，设置于该制程室内；
一晶圆载盘，设置于该承载装置上，其特征在于，该晶圆载盘具有一环状凹槽；
一绕环，选择性地设置于该环状凹槽中。
2.如权利要求1所述的真空腔的改进结构，其特征在于，该制程室为一晶圆蚀刻制程室或一晶圆沉积制程室。
3.如权利要求1所述的真空腔的改进结构，其特征在于，该承载装置是一种可以移动该晶圆载盘于一制程定位与一移载定位之间的装置。
4.如权利要求1所述的真空腔的改进结构，其特征在于，该环状凹槽为一封闭环状之凹槽。
5.如权利要求4所述的真空腔的改进结构，该结构用于一晶圆蚀刻制程时，其特征在于，该绕环设置于该环状凹槽中。
6.如权利要求1所述的真空腔的改进结构，其特征在于，该绕环具有具有一基部与一凸出部，该基部与该环状凹槽组配之封闭环状几何外型。
7.如权利要求6所述的真空腔的改进结构，其特征在于，该凸出部之内侧包括一内缩斜面，具有晶圆定位之功能。
8.如权利要求7所述的真空腔的改进结构，其特征在于，该内缩斜面与垂直线间的夹角在30-60度之间。
9.如权利要求1所述的真空腔的改进结构，其特征在于，该绕环采用氩溅镀制程不易受损的材质，该材质包括纯铝、表面硬化处理的铝、铝合金、或聚酰亚胺材质。
10.如权利要求1所述的真空腔的改进结构，其特征在于，该晶圆载盘具有数个环状凹槽，并有对应该数目的绕环选择性地设置于该等环状凹槽中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
