[实用新型]真空腔的改进结构

说明书

技术领域

本实用新型为一种半导体制造过程中的器具，尤其设计一种真空腔的改进结构，该结构用于半导体机台，便于晶圆的定位。

背景技术

一般而言，蚀刻或沉积等晶圆半导体制程需进行于真空腔中，其中晶圆设置于真空腔中的载盘上。如图1A所示现有技术的真空腔10，其中包括晶圆11与载盘12，而载盘12的顶面122为一平坦面，此处真空腔10用于晶圆11的蚀刻制程。而图1B图所示为另一现有技术的真空腔20，其中包括晶圆21与载盘22，而载盘22的顶面222具有一环状凹槽223，此处真空腔20用于晶圆21的沉积制程。在沉积制程时，载盘22上特设有环状凹槽223，为了当进行晶圆21的沉积制程时，让多余的沉积物堆积于环状凹槽223内，而避免堆积于晶圆之侧壁213或背部。因经过同一机台进行晶圆制程之前后片晶圆，并不会完全对准在同一位置，故后片晶圆可能会有部分边缘落在前片晶圆侧边的沉积物之上，造成污染后片晶圆的晶背。

由上可知，环状凹槽223属于沉积制程机台所需的特殊结构，但就设备供货商的角度而言，如果沉积制程机台与蚀刻制程机台的载盘能够共用，则显然可以节省制造成本。因此在现有技术的半导体蚀刻机台中，并不特别使用具有平坦顶面122的载盘12，而使用具有环状凹槽223的载盘22。其缺点是，在蚀刻机台中，晶圆定位较不精密。一般而言，晶圆由机械手臂送入机台真空腔内后，是放置在数个支持销(未示出)上，然后随着支持销的下降，而落入预定位置。但在上述现有技术的半导体蚀刻机台中，于横向偏离较大的情况下，或支持销校准不良时，有可能产生歪斜的情形、或是造成破片。

发明内容

有鉴于此，本实用新型之目的在于提供一种用于半导体机台，便于晶圆定位的真空腔的改进结构，其中所使用的载盘，可以共用于沉积制程机台与蚀刻制程机台，当用于蚀刻制程机台时，可提供较精准的晶圆定位。

根据此实用新型，提供一种真空腔的改进结构，其中包括一制程室、一承载装置、一晶圆载盘、以及一绕环。承载装置设置于制程室内。晶圆载盘设置于承载装置上，且晶圆载盘之顶面具有一环状凹槽。绕环为选择性地设置于环状凹槽中。

通过上述技术特征，本实用新型具有的有益效果为：本实用新型的沉积制程机台与蚀刻制程机台的载盘能够共用，则显然可以节省制造成本，另外，在蚀刻制程时可以解决晶圆定位不精准的问题。

附图说明

图1A显示现有技术的真空腔示意图；

图1B显示另一现有技术的真空腔示意图；

图2A为真空腔的改进结构前视图；

图2B为真空腔的改进结构上视图；

图3A为绕环的前视图；

图3B为绕环的上视图。

图中符号说明

10现有技术的真空腔；            11晶圆；

12载盘；                        122顶面；

20现有技术的真空腔；            21晶圆；

22载盘；                        222顶面；

223环状凹槽；                   213侧壁；

30真空腔的改进结构；            31晶圆；

32晶圆载盘；             322顶面；

323环状凹槽；            33制程室；

34承载装置；             35绕环；

351基部；                352凸出部；

353内缩斜面。

具体实施方式

参照图2A、2B，图2A、2B分别为根据本实用新型所提供的一种真空腔的改进结构30前视图与上视图，其中包括一制程室33、一承载装置34、一晶圆载盘32、以及一绕环35。制程中的晶圆31设置于晶圆载盘32上。承载装置34设置于制程室33内。晶圆载盘32设置于承载装置34上，且晶圆载盘32之顶面322具有一环状凹槽323。绕环35则为选择性地设置于环状凹槽323中。

进一步说明，制程室33为一晶圆蚀刻制程室或一晶圆沉积制程室，可于其中进行晶圆蚀刻或沉积等半导体制程。当进行一晶圆沉积制程时，绕环35未设置于环状凹槽323中，而是露出环状凹槽323，环状凹槽323的功能是用以收纳多余沉积反应物，以避免反应物堆积于晶圆31之侧壁、或后片晶圆之背部。而当进行一晶圆蚀刻制程时，此时环状凹槽323并不需要露出，便可将绕环35设置于环状凹槽323中，并提供引导晶圆31定位之功能。