[实用新型]光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置无效
| 申请号： | 200620161666.6 | 申请日： | 2006-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN200992589Y | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 钟毅;钟鸣 | 申请（专利权）人： | 钟毅 |
| 主分类号： | C30B7/00 | 分类号： | C30B7/00 |
| 代理公司： | 济南圣达专利商标事务所 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 250021山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光浴法 培育 质量 高氘量 dkdp 晶体 装置 | ||
1、一种光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置，它有外壳(1)，其内设有晶体生成容器，其特征是：所述晶体生成容器为透明容器(2)，在其外壁上设有反射层(3)，其底部则设有光加热装置，该装置与温度控制装置连接。
2、根据权利要求1所述的光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置，其特征是：所述光加热装置为设置在透明容器(2)底部的若干个光源(4)。
3、根据权利要求2所述的光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置，其特征是：所述光源(4)为可见光源。
4、根据权利要求3所述的光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置，其特征是：所述可见光源为白炽灯。
5、根据权利要求2所述的光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置，其特征是：所述光源(4)为不可见光源。
6、根据权利要求5所述的光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置，其特征是：所述不可见光源为红外线灯。
7、根据权利要求1所述的光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置，其特征是：所述反射层(3)涂附在透明容器(2)的外壁。
8、根据权利要求1所述的光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置，其特征是：所述反射层(3)为与透明容器(2)紧密贴附在一起的金属反射膜。
9、根据权利要求1或7或8所述的光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置，其特征是：所述反射层(3)与外壳(1)间设有保温层(5)。
10、根据权利要求1所述的光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置，其特征是：所述温度控制装置包括温度传感器(6)和单片机控制器，温度传感器(6)设置在透明容器(2)内部，单片机则与光加热装置连接。
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