[实用新型]光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种晶体生成装置，尤其涉及一种光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置。

背景技术

目前水溶液晶体常用生成装置有两类，一类是采用水浴法，即将育晶装置放入一容器中，然后将容器放入加热过的水中进行晶体的生长。另一类是通过在容器外部周边增加加热装置，以对容器进行加热。这两种方式都存在一定的不足。对于第一类装置，由于其加热溶液即水和晶体生成液隔离工艺不好实现，使生长液中的氘容易被加热水中的氢交换，造成晶体生长所需的氘量下降，影响晶体的质量；对于第二类装置，由于其加热时温度不能做到完全的均匀，使得温度波动大，难以满足温度精度要小于0.01度的要求。

发明内容

本实用新型的目的就是为了解决目前人工晶体的生成装置温度控制精度低，含氘量易受影响等问题，提供一种具有结构简单，使用方便，能有效保证晶体生成所需的氘量，并能提高温控精度等优点的光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置。

为实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

一种光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置，它有外壳，其内设有晶体生成容器，所述晶体生成容器为透明容器，在其外壁上设有反射层，其底部则设有光加热装置，该装置与温度控制装置连接。

所述光加热装置为设置在透明容器底部的若干个光源。

所述光源为可见光源。

所述可见光源为白炽灯。

所述光源为不可见光源。

所述不可见光源为红外线灯。

所述反射层涂附在透明容器的外壁。

所述反射层为与透明容器紧密贴附在一起的金属反射膜。

所述反射层与外壳间设有保温层。

所述温度控制装置包括温度传感器和单片机控制器，温度传感器设置在透明容器内部，单片机则与光加热装置连接。

本实用新型改变了传统的晶体生成的方法，它利用光的加热原理，通过在透明容器底部布置若干个光源进行加热，同时利用透明容器外壁上的反射层对射入透明容器内的光线进行反射，从而使得加热过程更加均匀，更易于提高温控精度。

本实用新型的有益效果是：结构简单，使用方便，晶体生长的质量更好，温度控制精度达到0.01以上。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

其中，1、外壳，2、透明容器，3、反射层，4、光源，5、保温层，6、温度传感器。

具体实施方式

下面结合附图与实施例对本实用新型作进一步说明。

实施例1：

图1中，外壳1内设有透明容器2，其底部设有由若干个光源4组成的加热装置，光源4为可见光源，如白炽灯等，它们采用并联方式或串联方式或二者兼而有之的混合连接方式连接。在透明容器2的外壁上附有反射层3，它与外壳1间设有保温层5。在透明容器2内还设有温度传感器6，它与单片机控制器组成温度控制装置，该装置通过对透明容器2内温度的检测，自动调整各光源4的发光量，以起到温度控制的目的。

实施例2：

在本实施例中，光源4由不可见光源，如红外线等，其反射层3为与透明容器2贴附在一起。其余结构与实施例1相同，不再赘述。