[实用新型]植焊球的装置无效
申请号: | 200620164610.6 | 申请日: | 2006-12-12 |
公开(公告)号: | CN200993959Y | 公开(公告)日: | 2007-12-19 |
发明(设计)人: | 汤文泉;刘庆源 | 申请(专利权)人: | 英业达股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 植焊球 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种植焊球技术,更详而言之,涉及一种植焊球的装置。
背景技术
目前,由于BGA技术(Ball GridArray Package)即球栅阵列封装技术的出现便成为诸如CPU、主板、南北桥芯片等高密度、高性能、多引脚封装的最佳选择。
但,现行球栅阵列封装技术操作流程如图1所示,预先在芯片13表面印上一层锡膏层131,并将该芯片13放置且固定在底板11表面,且将印有锡膏层131的芯片13的一侧朝上,再将落焊球网17盖合于该放置有芯片13的底板11上,并通过该落焊球网17的落焊球区域171将焊球15对应该底板11表面的芯片13落放,再移走该落焊球网17,最后对该底板11及芯片13进行高温回焊,通过该溶化的锡膏的表面张力形成一个个形状相同的焊球分布在该芯片13一侧,即形成球栅阵列。
上述的现有球栅阵列形成技术,应用成分为锡铅比例63/37锡膏是可行的。但是,对于锡铅比例为90/10的高锡焊球而言,由于该焊球不会溶化而无法依靠其在高温回焊工艺中形成的表面张力将焊球定位成形,而导致种植出来的焊球发生偏移,甚者造成短路而使球栅阵列封装的故障。
因此,如何设计一种植焊球装置以解决现有因锡比例较高的锡膏在高温回焊时,因焊球的不易溶化而无法靠其本身的表面张力定位成形的缺点,实乃目前亟待解决的问题。
实用新型内容
鉴于上述现有技术的缺陷,本实用新型提供一种植焊球装置,能解决现有因锡比例较高的锡膏在高温回焊时,因焊球的不易溶化而无法靠其本身的表面张力定位成形的问题。
本实用新型的植焊球装置其包括:底座,其表面设置有用于定位焊球并包括多个网孔的第一格网;落焊球件,其具有中空凹部,该中空凹部的底面开设有窗口,该窗口内设有供透落焊球于该第一格网内并包括多个网孔的第二格网;以及定位件,其表面开设有用于将具有锡膏的芯片定位在落有该焊球的第一格网上的相对应位置上从而令该锡膏与该焊球接触的定位区域。
根据本实用新型的一个方面,该第一格网的网孔与该第二格网的网孔的个数及尺寸均相等。
根据本实用新型的一个方面,该底座表面设置有多个该第一格网,该落焊球件中空凹部的底面设有多个窗口,且每一个该窗口内设有供透落焊球于该第一格网的第二格网,该定位件的表面设有多个定位区域。
根据本实用新型的一个方面,该底座的表面还设置有多个定位柱,该落焊球件开设有多个与该底座的表面所设置的定位柱相对应的第一定位部,该定位件开设有多个与该定位柱相对应的第二定位部。
根据本实用新型的一个方面,该底座还具有多个固定柱,该第一格网具有与该底座的固定柱相对应从而将该第一格网定位地设置于该底座的固定部,该落焊球件具有多个与该底座的固定柱相对应的第一固定部,该定位件具有多个与该底座的固定柱相对应的第二固定部,通过该第一及第二固定部以令该落焊球件及定位件定位地设置在该底座。
根据本实用新型的一个方面,该落焊球件的中空凹部的角缘开设有与外部连通的排除部。
相比于现有的植焊球装置,本实用新型的植焊球装置通过该落焊球件表面第二格网将焊球均匀落于该底座表面第一格网中,并可通过该定位件与底座之间形成的漏锡孔将落于该底座表面第一格网中多余的焊球倒出,再由定位件将贴有锡膏的芯片定位于该第一格网上,以供高温熔解所述焊球及锡膏形成多个形状相同的焊球,通过该第一格网定位该焊球使其均匀分布在该芯片表面以形成焊球栅阵列,从而解决由于焊球不溶化而无法依靠其表面张力将焊球拉正,而导致种植出来的焊球发生偏移,甚者造成短路的问题,同时可提高植球工艺的效率。
附图说明
图1是现有植焊球技术的示意图;
图2是本实用新型的植焊球装置的结构分解示意图;以及
图3是本实用新型的植焊球装置在形成焊球时芯片与底座间的放大示意图。
主要元件符号说明
11 底板
13 芯片
131 锡膏
15 焊球
17 落焊球网
21 底座
215 第一格网
216 网孔
217 定位柱
218 固定部
216 固定柱
24 落焊球件
230 中空凹部
233 第二格网
234 网孔
233 第一定位部
236 第一固定部
237 窗口
238 排除部
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造