[实用新型]试片研磨工具

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种研磨工具，尤其涉及一种半导体集成电路芯片(Integrated Circuit Chip，简称IC芯片)的试片研磨工具。

背景技术

IC芯片的工艺大致分为前段工艺及后段工艺，其中前段工艺的目的是在晶片(wafer)上制作出集成电路，而后段工艺则是将集成电路已制作完成的晶片进行封装(package)。在前段工艺及后段工艺的过程中，不断地进行许多结构测试及电性测试，以确保芯片的可靠度及良率。

IC芯片的前段工艺的步骤相当繁多，例如是物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、光刻(photolithography)、蚀刻(etching)及掺杂(doping)等，而这些步骤可能会在同一IC芯片上实施一次至数次。

为了观测IC芯片的薄膜的生成厚度或内连线(interconnections)是否正常断路或短路等，必须将正在制作或制作完成集成电路的IC芯片从晶片上独立出来以进行观测。这里所使用的观测设备例如是扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope，简称SEM)、穿透式电子显微镜(Transmitting Electron Microscope，简称TEM)及聚焦式离子束显微镜(Focused Ion Beam Microscope，简称FIB)。

图1绘示现有的芯片边缘与晶格方向相互平行的晶片。请参考图1，晶片10划分成许多区域(即未切割前的IC芯片10a)，并在这些区域的表面形成集成电路(IC)。为了从晶片10上取得试片，可利用裂片(cleave)步骤将IC芯片10a从晶片10独立出来，以观测IC芯片10a的一个边缘。值得注意的是，由于图1的晶片10的晶格方向12设定与IC芯片10a的边缘相互平行，所以裂片(cleave)步骤并不会受到晶片10的晶格方向12所影响。

图2绘示现有的芯片边缘与晶格方向相互倾斜的晶片。请参考图2，相较于图1的晶片10，晶片20的晶格方向22与IC芯片20a的边缘相互倾斜(例如夹45度角)。因此，为了从晶片20上取得试片，裂片步骤将会受到晶格方向22的影响，因而产生裂痕24，故须利用其他方式来将IC芯片20a从晶片20完整地独立出来，以观测IC芯片20a的边缘。

图3绘示从图2的晶片裂片后的试片。请参考图2及图3，为了将IC芯片20a从晶片20完整地独立出来，可先利用裂片步骤取得较大的试片26，其包括一个四方形的完整IC芯片20a及四个三角形的不完整芯片26a，再将一个不完整芯片26a移除之后，即可观测IC芯片20a的一个边缘。

然而，为了移除三角形的不完整芯片26a，同时在IC芯片20a的一个边缘形成观测所需的平坦面，用手夹持试片26在研磨垫(未绘示)上研磨将很难在IC芯片20a的边缘处形成平坦面。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种试片研磨工具，用以将试片定位在研磨垫上。

本实用新型的目的是提供一种试片研磨工具，用以调整试片相对于研磨垫的倾斜程度。

本实用新型的目的是提供一种试片研磨工具，用以加速试片的研磨及观测。

为解决上述问题，本实用新型提出一种试片研磨工具，适于将一试片定位在一研磨垫上。试片研磨工具包括一主体，其具有一接合面及多个凸柱。接合面适于让试片接合其上，以使试片的欲研磨处适于接触研磨垫，而这些凸柱适于接触研磨垫，以将主体支撑于研磨垫上方。

在本实用新型的一实施例中，主体还具有一对位标记，其位在接合面上，而对位标记适于让试片的一侧边对准。

在本实用新型的一实施例中，当试片的欲研磨处接触研磨垫时，接合面未面朝研磨垫。

在本实用新型的一实施例中，对位标记倾斜于研磨垫。

在本实用新型的一实施例中，对位标记由接合面的一阶梯结构所构成。

在本实用新型的一实施例中，对位标记由接合面的一凹陷刻痕所构成。

在本实用新型的一实施例中，对位标记由接合面的一颜料痕迹所构成。

在本实用新型的一实施例中，当试片的欲研磨处接触研磨垫时，接合面面朝研磨垫。

在本实用新型的一实施例中，接合面具有一嵌槽，其适于让试片接合其内。

在本实用新型的一实施例中，这些凸柱的末端及试片的欲研磨处实质上位于同一平面，但不位于平面上的任一直线。

在本实用新型的一实施例中，主体具有一夹持部及受到夹持部所夹持的一接合部，而接合部可拆卸自夹持部，且接合部具有接合面。