[实用新型]发光二极管的结构改良无效
| 申请号： | 200620175515.6 | 申请日： | 2006-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN200993968Y | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 张正兴;谢荣修;陈国湖;李敏丽 | 申请（专利权）人： | 鑫电光科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L25/00;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周春发 |
| 地址： | 台湾省桃园*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 改良 | ||
1、一种发光二极管的结构改良，其特征在于，其至少包含有：
一陶瓷底座，具有一可供容置金属反射层以及发光芯片的承载部；
至少一金属反射层，印刷于该承载部上，各金属反射层间形成有分隔部；
至少一发光芯片，设置于该承载部中，并与各金属反射层形成电性连接；
封装体，封装于承载部中。
2、如权利要求1所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该承载部为凹杯状结构体，其具有底部及侧壁。
3、如权利要求2所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该金属反射层由底部延伸于侧壁上，其分隔部同样由底部延伸于侧壁上。
4、如权利要求1所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该陶瓷底座形成有贯穿上、下表面的贯穿部。
5、如权利要求4所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该贯穿部设于陶瓷底座的边侧。
6、如权利要求4或5所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该金属反射层由该承载部延伸至贯穿部。
7、如权利要求6所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该金属反射层上方设置保护层。
8、如权利要求7所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该保护层设置异于承载部表面的金属反射层上。
9、如权利要求7所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该保护层为印刷方式设置于金属反射层上。
10、如权利要求2所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该承载部的底部形成有贯穿上、下表面的贯孔，其贯孔中可设有导热体。
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