[实用新型]发光二极管的结构改良无效
申请号: | 200620175515.6 | 申请日: | 2006-12-29 |
公开(公告)号: | CN200993968Y | 公开(公告)日: | 2007-12-19 |
发明(设计)人: | 张正兴;谢荣修;陈国湖;李敏丽 | 申请(专利权)人: | 鑫电光科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L25/00;H01L23/498 |
代理公司: | 北京申翔知识产权代理有限公司 | 代理人: | 周春发 |
地址: | 台湾省桃园*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 结构 改良 | ||
技术领域
本实用新型有关一种发光二极管的结构改良,尤指一种可提供发光二极管光线的光线反射效果,以及利用该金属反射层可形成发光芯片正、负端电极连接的发光二极管的结构改良。
背景技术
发光二极管(LED)的封装型态主要分为两种,一种为灯型(Lamp),采用液体树脂灌注方式成型,另一种为表面黏着型(SMD),它采用模注成型(molding)方式,也部份采用液体树脂灌注方式;另传统表面黏着型发光二极管(SMD LED)大都没有反射座,有反射座的厂商并不多,目前SMD LED有反射座设计者,大都在现成的电路板(基板)上挖孔,再施以电镀金属反射层,后再固晶、打线、封胶等步骤,使能完成SMD LED成品。
另外,如中国台湾专利公告号第474030号专利内容中,其揭露有将陶瓷电路板基材面镀以金属导电层,再以雷射光将电路板凹状反射座表面的镀层金属作切割处理,使每一凹状反射座具有正、负两端电极,再将发光二极芯片以覆晶方式与凹状反射座的正、负电极接合,后再以封胶树脂封装成表面黏着型发光二极管,其中形成凹状反射座需经过电镀再施以雷射光切割处理,成形步骤较为复杂。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型的目的即在提供一种可提供发光二极管光线的光线反射效果,以及利用该金属反射层可形成发光芯片正、负端电极连接的发光二极管的结构改良。
为达上述目的,本实用新型的发光二极管至少包含有:一具有承载部的陶瓷底座、至少一金属反射层、至少一发光芯片以及封装体,其金属反射层印刷于该承载部上,各金属反射层间形成有分隔部,该发光芯片设置于该承载部中,并与各金属反射层形成电性连接,并于承载部中设置封装体以完成发光二极管的结构,该发光二极管发出的光线可藉该金属反射层形成光线反射效果,并利用该金属反射层可形成发光芯片正、负端电极的连接。
本实用新型的有益效果为:可以得到一种可提供发光二极管光线的光线反射效果,以及利用该金属反射层可形成发光芯片正、负端电极连接的发光二极管的结构改良。
附图说明
图1为本实用新型中第一实施例发光二极管的结构立体图;
图2为本实用新型中第一实施例发光二极管的结构示意图;
图3A、B为本实用新型中第二实施例发光二极管的结构立体图;
图4为本实用新型中第二实施例发光二极管与基板固定的结构示意图;
图5为本实用新型中第三实施例发光二极管的结构立体图;
图6为本实用新型中第四实施例发光二极管的结构立体图;
图7为本实用新型中发光二极管与导热体的结构示意图;
图8为本实用新型中发光二极管的另一结构示意图。
【图号说明】
1 发光二极管 11 陶瓷底座
111 承载部 111a 底部
111b 侧壁 111c 贯孔
112 贯穿部 12 金属反射层
121 分隔部 13 发光芯片
14 导线 15 封装体
16 保护层 2 基板
21 焊接点 3 导热体
具体实施方式
为能使贵审查员清楚本实用新型的结构组成,以及整体运作方式,兹配合图式说明如下:
本实用新型发光二极管的结构改良,如图1及图2的第一实施例所示,该发光二极管1其至少包含有:
一陶瓷底座11,具有一承载部111可供容置金属反射层12以及发光芯片13,该承载部111为凹杯状结构体,其至少具有底部111a及侧壁111b。
至少一金属反射层12,印刷于该承载部111上,由底部111a延伸于侧壁111b上,各金属反射层12间形成有分隔部121,其分隔部同样由111a延伸于侧壁111b上。
至少一发光芯片13,设置于该承载部的底部111a上,并与各金属反射层12形成电性连接,如图所示利用导线14构成发光芯片13与各金属反射层12的电性连接。
封装体15,封装于承载部111中,并覆盖部份金属反射层12以及发光芯片13。
本实用新型的金属反射层12可形成发光芯片13正、负端电极的连接,且该发光二极管1发出的光线可藉该金属反射层12形成光线反射效果,以达到较佳的光线效果。
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