[发明专利]表面波激发等离子体处理装置无效

专利信息
申请号: 200680001834.8 申请日: 2006-04-26
公开(公告)号: CN101099419A 公开(公告)日: 2008-01-02
发明(设计)人: 铃木正康;猿渡哲也 申请(专利权)人: 株式会社岛津制作所
主分类号: H05H1/46 分类号: H05H1/46;H01L21/3065;H01L21/205;H01L21/31
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿宁
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 表面波 激发 等离子体 处理 装置
【权利要求书】:

1.一种表面波激发等离子体处理装置,其特征在于具备有:

两台或两台以上等离子源部,上述等离子源部,包括:

微波产生部,其产生微波;

微波导波管,其将来自上述微波产生部的微波导入,并于管内传播;

槽孔天线,其为配置于上述微波导波管H面的具有设定形状的开口部;及

介电体部件,其从上述微波导波管的槽孔天线导入微波并形成表面波,藉此生成表面波激发等离子体;以及

反射板,设置于上述两个或两个以上被并列设置的各介电体部件的相邻侧面之间。

2.如权利要求1所述的表面波激发等离子体处理装置,其特征在于其中上述反射板至少表面为电导体,其表面电位由配设有上述各介电体部件的框体而短路。

3.如权利要求1或2所述的表面波激发等离子体处理装置,其特征在于其中于上述两个或两个以上介电体部件的外周侧面,设置有侧反射体,其至少表面为电导体,并且其表面电位由上述框体而短路。

4.如权利要求1至3任一项所述的表面波激发等离子体处理装置,其特征在于其中设置有介电体板,其至少遮盖上述反射板的露出部分。

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