[发明专利]表面波激发等离子体处理装置

说明书

技术领域

本发明是关于一种利用表面波激发等离子体进行各种处理的表面波激发等离子体处理装置。

背景技术

作为可生成密度高、面积大的等离子体的等离子体处理装置，众所周知有利用表面波激发等离子体的装置。在此种装置中，业者知悉将微波导波管分支，且并列配置于介电体板上，将从1台微波产生部导入的微波以多个分支传播至各微波导波管内，并且自介电体板上较广的范围采取微波电力，藉此，实现以大面积生成均匀等离子体的装置(例如，参照专利文献1)。

【专利文献1】日本专利特开2005-33100号公报(第2页，图1、4)。

使用上述专利文献1所述的装置，可在具有分支的多个微波导波管分配微波电力以生成大面积等离子体。然而，专利文献1所述的装置中，因作为负荷的等离子体会产生稍许变化，有时会引起各个导波管的微波电力与等离子体结合状态改变，使得向各导波管输入的电力的分配比率产生变化，导致无法获得均匀的等离子体的情况。

发明内容

(1)本发明的表面波激发等离子体处理装置，其特征在于具备有两台或两台以上等离子源部，该等离子源部包括：微波产生部，其产生微波；微波导波管，其将来自上述微波产生部的微波导入并于管内传播；槽孔天线，其为配置于上述微波导波管H面且具有设定形状的开口部；介电体部件，其从上述微波导波管的槽孔天线导入微波并形成表面波，藉此生成表面波激发等离子体；以及，反射板，其设置于两个或两个以上被并列设置的各介电体部件的相邻侧面之间。

(2)在前述的表面波激发等离子体处理装置中，反射板至少表面为电导体，其表面电位由配设有上述各介电体部件的框体而短路。

(3)在前述的表面波激发等离子体处理装置中，在两个或两个以上介电体部件的外周侧面，设置有侧反射体，其至少表面为电导体、且其表面电位由框体而短路。

(4)在前述的表面波激发等离子体处理装置，其中设置有介电体板，其至少遮盖反射板的露出部分。

根据本发明，因设置有两台或两台以上包括微波产生部、微波导波管及介电体部件的等离子源部，并于各介电体部件之间设置反射板，故可防止相邻介电体部件之间相互干涉。因此，可独立控制各等离子体产生部，并藉由对其加以调整，而可稳定维持大面积的均匀等离子体的生成。

附图说明

图1是模式性表示本发明实施形态的SWP处理装置的概略构成的平面图。

图2是模式性表示本发明实施形态的SWP处理装置的主要部分结构的剖面图。

图3是沿图2的I-I线所观察的介电体块13、23的仰视图。

图4是模式性表示本发明实施形态的SWP处理装置的等离子源结构的图式。图4(a)表示2台等离子源的结构，图4(b)表示3台等离子源的结构。

1：腔室                   2：腔室本体

3：盖体                   10、20：等离子源

11、21：微波产生装置      11a、21a：高压电源

11b、21b：微波振荡器      11c、21c：绝缘体

11d、21d：方向性结合器    11e、21e：整合器

11f、21f：连接管          12、22：微波导波管

12a、22a：微波导入口      12b、22b：终端结合器

12d、22d：底板            12c、22c：槽孔天线

13、23：介电体块          30：反射板

40：侧反射体              50：介电体板

100：SWP处理装置          S：被处理基板

P：表面波激发等离子体(等离子体)

SW：表面波

具体实施方式

以下，就本发明实施形态的表面波激发等离子体(SWP：Surface WavePlasma，表面波等离子体)处理装置(以下，略称作SWP处理装置)，并参照图1～4加以说明。图1是模式性表示本发明实施形态的SWP处理装置的概略构成的平面图。图2是模式性表示本发明实施形态的SWP处理装置的主要部分构成的剖面图。